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[主观题]

在图NP4-9所示的差分对管调制电路中,已知晶体三极管β很大,VBE(on)可忽略。试用开关函数求i≇

在图NP4-9所示的差分对管调制电路中,已知晶体三极管β很大,VBE(on)可忽略。试用开关函数求i≇

在图NP4-9所示的差分对管调制电路中,已知在图NP4-9所示的差分对管调制电路中,已知晶体三极管β很大,VBE(on)可忽略。试用开关函数求i晶体三极管β很大,VBE(on)可忽略。试用开关函数求ic=(ic1-ic2)值。

在图NP4-9所示的差分对管调制电路中,已知晶体三极管β很大,VBE(on)可忽略。试用开关函数求i

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第1题
在图LT3-4所示电路中,已知VGS(th)=-1.5V,增强型MOS管的沟道长度调制效应忽略不计,试求值.
在图LT3-4所示电路中,已知VGS(th)=-1.5V,增强型MOS管的沟道长度调制效应忽略不计,试求值.

在图LT3-4所示电路中,已知VGS(th)=-1.5V,增强型MOS管的沟道长度调制效应忽略不计,试求值.

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第2题
(1)在图LP4-58所示的F007集成运放内部电路中,若设各NPN型管的β=250,PNP型管的β=50,两种类型晶
(1)在图LP4-58所示的F007集成运放内部电路中,若设各NPN型管的β=250,PNP型管的β=50,两种类型晶

体三极管的|VA|均为100V,|VBE(on)|=0.7V,并设T23的输入电阻为9.1MΩ,IC17=550μA,|VCC|=|VEE|=15V,试求T16、T17组成的中间增益级的输入电阻R1和电压增益Av

(2)利用上题提供的管子参数,试求F007集成运放内部电路中输入差分级电路的输入电阻Rid和互导增益Ag。设各管rce忽略不计。已知差分放大器的偏置电流为20μA。

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第3题
在图LP4-8所示的多级直接耦合放大器中,第二级为电平位移电路.已知各管的β=100,可忽略不计.各

在图LP4-8所示的多级直接耦合放大器中,第二级为电平位移电路.已知各管的β=100,可忽略不计.各管的(1)为使试确定RF2值;(2)若RF2=0,电路能否正常工作?

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第4题
在图LP4-3所示电路中,已知室温下硅管的β=100,VBE(on)=0.7 V,ICBO=10-15A,试求温
在图LP4-3所示电路中,已知室温下硅管的β=100,VBE(on)=0.7 V,ICBO=10-15A,试求温

度升高40℃时的ICQ与VCEQ值。

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第5题
在图7.41所示的共集放大电路中,设UCC=10V,RF=5.6kΩ,RB=240kΩ,三极管为硅管,β=40,
信号源内阻RS=10kΩ,负载电阻RL=1kΩ,试估算静态工作点,并计算电压放大倍数和输入、输出电阻。

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第6题
图LP2-13(a)所示电路中,已知两管的a1=0.99,a2=0.98.T2管的IBC=1.5mA,两管的I≇
图LP2-13(a)所示电路中,已知两管的a1=0.99,a2=0.98.T2管的IBC=1.5mA,两管的I≇

图LP2-13(a)所示电路中,已知两管的a1=0.99,a2=0.98.T2管的IBC=1.5mA,两管的ICBO很小,均可忽略,|VA|→∞,VCC=15V,R=100Ω,并设两管均工作于放大模式.(1)试画出电路的共发射极简化电路模型;

(2)计算电流IC1、IC2、IBC、IC和电压VCE;(3)比较两个单管的β1、β2与复合管β(=IC/IBC)值.

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第7题
设图题5.7.7所示电路中T1、T2管均有合适的静态工作点。各电容对交流均可视为短路。试画出
该电路的交流通路,并写出Ar,Ri,R0的表达式。

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第8题
若将图P2.7所示电路中的NPN管换成PNP管,其它参数不变,则为使电路正常放大电源应作如何变化?Q点、Au、Ri和R0变化吗?如变化,则如何变化?若输出电压波形底部失真,则说明电路产生了什么失真,如何消除?

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第9题
试证明图7.7.7(d)所示单端输入,单端输出差分电路的差模电压放大倍数和输入电阻分别为

试证明图7.7.7(d)所示单端输入,单端输出差分电路的差模电压放大倍数和输入电阻分别为

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第10题
图P3.6所示电路参数理想对称,晶体管的β均为100,rbb=100Q,UBRQ≈0.7V.试求Rw的滑动
端在中点时T1管和T2管的发射极静态电流IEQ以及动态参数Ad和Rt.

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