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[主观题]

图LP2-13(a)所示电路中,已知两管的a1=0.99,a2=0.98.T2管的IBC=1.5mA,两管的I≇

图LP2-13(a)所示电路中,已知两管的a1=0.99,a2=0.98.T2管的IBC=1.5mA,两管的I≇

图LP2-13(a)所示电路中,已知两管的a1=0.99,a2=0.98.T2管的IBC=1.5mA,两管的ICBO很小,均可忽略,|VA|→∞,VCC=15V,R=100Ω,并设两管均工作于放大模式.(1)试画出电路的共发射极简化电路模型;

(2)计算电流IC1、IC2、IBC、IC和电压VCE;(3)比较两个单管的β1、β2与复合管β(=IC/IBC)值.

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第1题
在图LT3-4所示电路中,已知VGS(th)=-1.5V,增强型MOS管的沟道长度调制效应忽略不计,试求值.
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第2题
在图LP4-8所示的多级直接耦合放大器中,第二级为电平位移电路.已知各管的β=100,可忽略不计.各

在图LP4-8所示的多级直接耦合放大器中,第二级为电平位移电路.已知各管的β=100,可忽略不计.各管的(1)为使试确定RF2值;(2)若RF2=0,电路能否正常工作?

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第3题
在图NP4-9所示的差分对管调制电路中,已知晶体三极管β很大,VBE(on)可忽略。试用开关函数求i≇
在图NP4-9所示的差分对管调制电路中,已知晶体三极管β很大,VBE(on)可忽略。试用开关函数求i≇

在图NP4-9所示的差分对管调制电路中,已知晶体三极管β很大,VBE(on)可忽略。试用开关函数求ic=(ic1-ic2)值。

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第4题
在图LP4-3所示电路中,已知室温下硅管的β=100,VBE(on)=0.7 V,ICBO=10-15A,试求温
在图LP4-3所示电路中,已知室温下硅管的β=100,VBE(on)=0.7 V,ICBO=10-15A,试求温

度升高40℃时的ICQ与VCEQ值。

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第5题
(1)在图LP4-58所示的F007集成运放内部电路中,若设各NPN型管的β=250,PNP型管的β=50,两种类型晶
(1)在图LP4-58所示的F007集成运放内部电路中,若设各NPN型管的β=250,PNP型管的β=50,两种类型晶

体三极管的|VA|均为100V,|VBE(on)|=0.7V,并设T23的输入电阻为9.1MΩ,IC17=550μA,|VCC|=|VEE|=15V,试求T16、T17组成的中间增益级的输入电阻R1和电压增益Av

(2)利用上题提供的管子参数,试求F007集成运放内部电路中输入差分级电路的输入电阻Rid和互导增益Ag。设各管rce忽略不计。已知差分放大器的偏置电流为20μA。

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第6题
在图3.10所示电路中,已知U=220v, 超前于 超前于 求U1和U2

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第7题
图3-36所示电路中,已知求:(1)通过电阻R的电流iR;(2)A、B两端电压uAB
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第8题
分析图3.20所示的电路构成模几计数器?已知电路中采用的中规模集成计数器为同步四位二进制计数
器.

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第9题
在图2-34a所示构架中,已知F、a。试求A、B两支座约束力。

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第10题
题5.6图所示电路中,已知开关合上前电感中无电流,求t≥0时的iL(t)和uL(t)。

题5.6图所示电路中,已知开关合上前电感中无电流,求t≥0时的iL(t)和uL(t)。

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