题目内容
（请给出正确答案）
度升高40℃时的ICQ与VCEQ值。
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更多“在图LP4-3所示电路中，已知室温下硅管的β=100，VBE…”相关的问题
在图LT3-4所示电路中,已知VGS(th)=-1.5V,增强型MOS管的
沟道长度调制效应忽略不计,试求
值.
在图LP4-8所示的多级直接耦合放大器中,第二级为电平位移电路.已知各管的β=100,
可忽略不计.各管的
(1)为使
试确定RF2值;(2)若RF2=0,电路能否正常工作？
在图NP4-9所示的差分对管调制电路中,已知
晶体三极管β很大,VBE(on)可忽略。试用开关函数求ic=(ic1-ic2)值。
在图LP6-12所示的反对数变换器中,试证:
,其中τ=(R2+R3)/R3VT.已知VR=7V,R1=10kΩ,R2=15.7kΩ,R3=1kΩ,R5=10kΩ,试问:当υs由1mV变到10V时,在室温下相应υ0的变化范围是多少？
设各集成运放是理想的,各晶体管特性相同.
体三极管的|VA|均为100V，|VBE(on)|=0.7V，并设T23的输入电阻为9.1MΩ，IC17=550μA，|VCC|=|VEE|=15V，试求T16、T17组成的中间增益级的输入电阻R1和电压增益Av。
(2)利用上题提供的管子参数，试求F007集成运放内部电路中输入差分级电路的输入电阻Rid和互导增益Ag。设各管rce忽略不计。已知差分放大器的偏置电流为20μA。
图LP2-13(a)所示电路中,已知两管的a1=0.99,a2=0.98.T2管的IBC=1.5mA,两管的ICBO很小,均可忽略,|VA|→∞,VCC=15V,R=100Ω,并设两管均工作于放大模式.(1)试画出电路的共发射极简化电路模型;
(2)计算电流IC1、IC2、IBC、IC和电压VCE;(3)比较两个单管的β1、β2与复合管β(=IC/IBC)值.
在图LT4-23所示两级共发放大器的交流通路中,已知
试估算该电路的土限频率fH.(忽略第二级输入电容对第一级的影响.)
在图NP4-19所示场效应管混频器原理电路中，已知场效应管的静态转移特性为
,在满足线性时变条件下，试画出下列两种情况下gm(t)的波形图，并导出混频跨导gmc表达式。
。
超前于
超前于
求U1和U2。
