首页 > 财会类考试

题目内容（请给出正确答案）

[主观题]

在图LT3-4所示电路中,已知V_GS(th)=-1.5V,增强型MOS管的沟道长度调制效应忽略不计,试求值.

在图LT3-4所示电路中,已知V_GS（th)=-1.5V,增强型MOS管的沟道长度调制效应忽略不计,试求值.

在图LT3-4所示电路中,已知V_GS(th)=-1.5V,增强型MOS管的在图LT3-4所示电路中,已知VGS（th)=-1.5V,增强型MOS管的沟道长度调制效应忽略不计, 沟道长度调制效应忽略不计,试求值.

在图LT3-4所示电路中,已知VGS（th)=-1.5V,增强型MOS管的沟道长度调制效应忽略不计,

查看答案

如果结果不匹配，请联系老师获取答案

您可能会需要：

重置密码查看订单联系客服

安装优题宝APP，拍照搜题省时又省心！

更多“在图LT3-4所示电路中,已知VGS(th)=-1.5V,增…”相关的问题

第1题

在图NP4-19所示场效应管混频器原理电路中，已知场效应管的静态转移特性为,在满足线性时变条件

在图NP4-19所示场效应管混频器原理电路中，已知场效应管的静态转移特性为,在满足线性时变条件下，试画出下列两种情况下g_m(t)的波形图，并导出混频跨导g_mc表达式。。

点击查看答案

第2题

题5.6图所示电路中，已知开关合上前电感中无电流，求t≥0时的i_L（t)和u_L（t)。

题5.6图所示电路中，已知开关合上前电感中无电流，求t≥0时的i_L(t)和u_L(t)。

点击查看答案

第3题

在图3.10所示电路中，已知U=220v，超前于超前于求U₁和U₂。

在图3.10所示电路中，已知U=220v，超前于超前于求U₁和U₂。

点击查看答案

第4题

在题4.4图所示电路中，U_S=4V，u（t)=3sin2tV，求电阻上的电压U_R。

在题4.4图所示电路中，U_S=4V，u(t)=3sin2tV，求电阻上的电压U_R。

点击查看答案

第5题

在图NP4-9所示的差分对管调制电路中,已知晶体三极管β很大,VBE_(on)可忽略。试用开关函数求i≇

在图NP4-9所示的差分对管调制电路中,已知晶体三极管β很大,VBE_（on)可忽略。试用开关函数求i≇

在图NP4-9所示的差分对管调制电路中,已知晶体三极管β很大,VBE_(on)可忽略。试用开关函数求i_c=(i_c1-i_c2)值。

点击查看答案

第6题

在图LP4-8所示的多级直接耦合放大器中,第二级为电平位移电路.已知各管的β=100,可忽略不计.各

在图LP4-8所示的多级直接耦合放大器中,第二级为电平位移电路.已知各管的β=100,可忽略不计.各管的(1)为使试确定R_F2值;(2)若R_F2=0,电路能否正常工作？

点击查看答案

第7题

在图LT4-23所示两级共发放大器的交流通路中,已知试估算该电路的土限频率f_H.(忽略第二级输

在图LT4-23所示两级共发放大器的交流通路中,已知试估算该电路的土限频率f_H.（忽略第二级输

在图LT4-23所示两级共发放大器的交流通路中,已知试估算该电路的土限频率f_H.(忽略第二级输入电容对第一级的影响.)

点击查看答案

第8题

在图LP4-3所示电路中，已知室温下硅管的β=100，V_BE(on)=0.7 V，I_CBO=10^-15A，试求温

在图LP4-3所示电路中，已知室温下硅管的β=100，V_BE（on)=0.7 V，I_CBO=10^-15A，试求温

度升高40℃时的I_CQ与V_CEQ值。

点击查看答案

第9题

电路如图题11.3.5所示，当电路中负载I₀和电感L较小时，试分析在整个开关周期T内电感电流i_L

断流条件下的工作特性，当v_G的波形和V₁已知时，画出v_G，i_L，v_S和v₀的波形。

点击查看答案

第10题

在图题5.5.2所示的电路中，已知R_h=260千欧，R_e=R_L=5.1千欧，R_si=500千欧，V_EE

=12V，β=50 ，试求：(1)电路的Q点;(2)电压增益A_e，输入电阻R_i及输出电阻R₀;(3)若v_s=200mV，求v₀。

点击查看答案

湖南优积谷网络科技有限公司版权所有 ©2024

湘ICP备16018319号-1 湘公安备案43019002000613号营业执照

违法和不良信息举报电话：400-118-7898

举报/反馈/投诉邮箱：deng＃ujigu.com（请将＃替换成@）