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[判断题]

小电流硅二极管的死区电压约为0.5V，正向压降约为0.7V。()

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第1题

在常温下，锗二极管的死区电压约为0.5V，正向导通电压约为0.7V。（）

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第2题

硅晶体二极管的死区电压约为0.5V，导通压降约为0.7V。（）

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第3题

硅二极管正向导通电压约为0.2~0.3V，锗二极管正向导通电压约为0.6~0.8V。（)

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第4题

硅二极管死区电压为（）V。

A.0.1

B.0.5

C.1

D.1.2

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第5题

一般情况下，导通后二极管两端电压变化很小锗管约为（)。

A.0.5V

B.0.7V

C.0.3V

D.0.1V

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第6题

二极管正向导通时的正向电压值称为管压降．一般小功率硅管的管压降可为（）V。

A.0．6

B.0．7

C.0．8

D.1．0

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第7题

当二极管外加的正向电压超过死区电压时，电流随电压增加而迅速（）

A．饱和

B．减小

C．截止

D．增加

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第8题

电路如图题3.4.14所示，D为硅二极管，V_D=2V，R=1千欧，正弦信号v_e=50sin(2πx50t)mV。(1)静

电路如图题3.4.14所示，D为硅二极管，V_D=2V，R=1千欧，正弦信号v_e=50sin（2πx50t)mV。（1)静

态(即v_e=0)时，求二极管中的静态电流和v₀的静态电压;(2)动态时，求二极管中的交流电流振幅和v₀的交流电压振幅;(3)求输出电压v₀的总量。

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第9题

锗晶体二极管至少要高于约（)的电压才能正常工作。

A.0.1V

B.0.3V

C.0.7V

D.0.5V

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第10题

二极管的死区电压随环境温度的升高而（)。

A.增大

B.减小

C.基本不变

D.不确定

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第11题

硅管的死区电压为（)V。

A.0.1

B.0.2

C.0.4

D.0.5

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