首页 > 建筑工程类考试> 预算员
题目内容 (请给出正确答案)
[单选题]

硅管的死区电压为()V。

A.0.1

B.0.2

C.0.4

D.0.5

查看答案
答案
收藏
如果结果不匹配,请 联系老师 获取答案
您可能会需要:
您的账号:,可能还需要:
您的账号:
发送账号密码至手机
发送
安装优题宝APP,拍照搜题省时又省心!
更多“硅管的死区电压为()V。”相关的问题
第1题
硅二极管死区电压为()V。

A.0.1

B.0.5

C.1

D.1.2

点击查看答案
第2题
二极管正向导通时的正向电压值称为管压降.一般小功率硅管的管压降可为()V。

A.0.6

B.0.7

C.0.8

D.1.0

点击查看答案
第3题
硅晶体二极管的死区电压约为0.5V,导通压降约为0.7V。()

点击查看答案
第4题
常温下二极管的门限电压或阀电压,硅管一般为()左右,锗管为()左右。

A.0.5.0.1

B.0.1,0.5

C.0.2,0.7

D.0.7,0.2

点击查看答案
第5题
称重传感器由4个应变片组成惠斯通电桥,将重量信号转成电压输出,假设传感器的容量是10kg,输出灵敏度为2mV/V,输出电压为350Ω,计算一下,当秤台上放置5kg重量时,应变片的电阻变化了()。

A.0.35Ω

B.0.7Ω

C.0.1Ω

D.1Ω

点击查看答案
第6题
静压法计量系统差压变送器测量死区的原因有()。

A.电压不在工作范围

B.充液管里有残存液体

C.变送器过程法兰中存有沉积物

D.充气管里有残存气体

点击查看答案
第7题
二极管导通后其管压降基本不变,对于硅二极管而言管压降是()V。

A.0.2-0.3

B.0.6-0.7

C.1

D.1.2-1.5

点击查看答案
第8题
在图LP4-3所示电路中,已知室温下硅管的β=100,VBE(on)=0.7 V,ICBO=10-15A,试求温
在图LP4-3所示电路中,已知室温下硅管的β=100,VBE(on)=0.7 V,ICBO=10-15A,试求温

度升高40℃时的ICQ与VCEQ值。

点击查看答案
第9题
在图7.41所示的共集放大电路中,设UCC=10V,RF=5.6kΩ,RB=240kΩ,三极管为硅管,β=40,
信号源内阻RS=10kΩ,负载电阻RL=1kΩ,试估算静态工作点,并计算电压放大倍数和输入、输出电阻。

点击查看答案
第10题
晶体三极管处在正常放大状态时,硅管发射结的导通电压约0.7V,锗管发射结的导通电压约0.3V。()
点击查看答案
退出 登录/注册
发送账号至手机
密码将被重置
获取验证码
发送
温馨提示
该问题答案仅针对搜题卡用户开放,请点击购买搜题卡。
马上购买搜题卡
我已购买搜题卡, 登录账号 继续查看答案
重置密码
确认修改