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[单选题]

硅二极管死区电压为()V。

A.0.1

B.0.5

C.1

D.1.2

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第1题
硅管的死区电压为()V。

A.0.1

B.0.2

C.0.4

D.0.5

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第2题
二极管正向导通时的正向电压值称为管压降.一般小功率硅管的管压降可为()V。

A.0.6

B.0.7

C.0.8

D.1.0

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第3题
二极管的死区电压随环境温度的升高而()。

A.增大

B.减小

C.基本不变

D.不确定

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第4题
常温下二极管的门限电压或阀电压,硅管一般为()左右,锗管为()左右。

A.0.5.0.1

B.0.1,0.5

C.0.2,0.7

D.0.7,0.2

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第5题
在常温下,锗二极管的死区电压约为0.5V,正向导通电压约为0.7V。()

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第6题
硅晶体二极管的死区电压约为0.5V,导通压降约为0.7V。()

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第7题
电路如图题3.4.14所示,D为硅二极管,VD=2V,R=1千欧,正弦信号ve=50sin(2πx50t)mV。(1)静
电路如图题3.4.14所示,D为硅二极管,VD=2V,R=1千欧,正弦信号ve=50sin(2πx50t)mV。(1)静

态(即ve=0)时,求二极管中的静态电流和v0的静态电压;(2)动态时,求二极管中的交流电流振幅和v0的交流电压振幅;(3)求输出电压v0的总量。

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第8题
硅整流交流发电机中改变输出电压大小的构件是()

A.硅二极管

B.转子

C.调节器

D.定子

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第9题
硅电压开关二极管也是整流和检波用的二极管。()
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第10题
硅二极管两端只要加上正向电压就立即导通。()

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第11题
交流电源电压U=10V,采用二极管半波整流电路,并用电容滤波,二极管承受的最大反向电压约为()V。

A.28

B.14

C.12

D.2

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