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[主观题]

在图NT6-3所示的锁相环路中,已知AO=2π×25krad/(sV),fr=50kHz。A1=2,Ad=0.7v,试

在图NT6-3所示的锁相环路中,已知AO=2π×25krad/(sV),fr=50kHz。A1=2,Ad=0.7v,试

求环路的同步带。若R=3.6kΩ,C=0.3pF,试求环路的快捕带。

在图NT6-3所示的锁相环路中,已知AO=2π×25krad/(sV),fr=50kHz。A1=2,

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第1题
将图NT6-4所示的锁相环路用来解调调频信号。设环路的输入信号vi(t)=Vimsin[ωrt+10s
将图NT6-4所示的锁相环路用来解调调频信号。设环路的输入信号vi(t)=Vimsin[ωrt+10s

in(2πX10³t)],已知,Ad=250mV/rad,A0=2πX25x10³rad/(s*V),A1=40,有源比例积分滤波器的参数为R1=17.7kΩ,R2=0.94Ω,C=0.03μF,试求放大器输出1kHz的音频电压振幅VΩm

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第2题
在图LT3-4所示电路中,已知VGS(th)=-1.5V,增强型MOS管的沟道长度调制效应忽略不计,试求值.
在图LT3-4所示电路中,已知VGS(th)=-1.5V,增强型MOS管的沟道长度调制效应忽略不计,试求值.

在图LT3-4所示电路中,已知VGS(th)=-1.5V,增强型MOS管的沟道长度调制效应忽略不计,试求值.

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第3题
图9-8a所示机构中,已知:OA=BD=DE=0.1m,EP=;ωOA=4rad/s。在图 9-8a所示位置时,曲柄OA与水平线O

图9-8a所示机构中,已知:OA=BD=DE=0.1m,EP=OA=4rad/s。在图 9-8a所示位置时,曲柄OA与水平线OB垂直;且B,D和F在同1铅直线上,又DE垂直于EF求杆EF的角速度和点F的速度。

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第4题
在图NP4-9所示的差分对管调制电路中,已知晶体三极管β很大,VBE(on)可忽略。试用开关函数求i≇
在图NP4-9所示的差分对管调制电路中,已知晶体三极管β很大,VBE(on)可忽略。试用开关函数求i≇

在图NP4-9所示的差分对管调制电路中,已知晶体三极管β很大,VBE(on)可忽略。试用开关函数求ic=(ic1-ic2)值。

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第5题
在图3.10所示电路中,已知U=220v, 超前于 超前于 求U1和U2

在图3.10所示电路中,已知U=220v,超前于超前于求U1和U2

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第6题
在图NP4-19所示场效应管混频器原理电路中,已知场效应管的静态转移特性为,在满足线性时变条件

在图NP4-19所示场效应管混频器原理电路中,已知场效应管的静态转移特性为,在满足线性时变条件下,试画出下列两种情况下gm(t)的波形图,并导出混频跨导gmc表达式。

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第7题
在图LT4-23所示两级共发放大器的交流通路中,已知试估算该电路的土限频率fH.(忽略第二级输
在图LT4-23所示两级共发放大器的交流通路中,已知试估算该电路的土限频率fH.(忽略第二级输

在图LT4-23所示两级共发放大器的交流通路中,已知试估算该电路的土限频率fH.(忽略第二级输入电容对第一级的影响.)

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第8题
在图LP4-3所示电路中,已知室温下硅管的β=100,VBE(on)=0.7 V,ICBO=10-15A,试求温
在图LP4-3所示电路中,已知室温下硅管的β=100,VBE(on)=0.7 V,ICBO=10-15A,试求温

度升高40℃时的ICQ与VCEQ值。

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第9题
在图2-34a所示构架中,已知F、a。试求A、B两支座约束力。

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