题目内容
（请给出正确答案）
A.是电子从价带到导带的跃迁，产生电子-空穴对
B.产生本征吸收的条件是入射光子能量大于等于材料的禁带宽度
C.是电子从导带到价带的跃迁，并伴随发射光子能量
D.产生本征吸收的条件是入射光子能量小于等于材料的禁带宽度
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B、实际的半导体材料总是存在杂质和缺陷的，只要杂质和缺陷在一定限度内，就可看作是本征半导体
C、本征半导体掺入杂质可形成杂质半导体
D、本征半导体掺入施主杂质可形成n型半导体，掺入受主杂质可形成p型半导体
E、n型半导体依靠导带电子导电
F、p型半导体依靠价带空穴导电
G、本征半导体中载流子由本征激发产生
H、本征半导体中导带电子浓度等于价带空穴浓度
I、施主杂质电离可以为半导体提供导电电子
J、受主杂质电离可以为半导体提供导电空穴
K、杂质半导体中载流子主要靠杂质电离产生
L、杂质半导体中也存在本征激发的过程
A.空穴为多子，电子为少子
B.能带图中费米能级靠近价带顶
C.光照时内部不可能产生本征吸收
D.弱光照时载流子寿命与热平衡时空穴浓度成反比
A.同一半导体对不同波长的光具有相同的吸收系数
B.任一波长的光照射在半导体上都可以产生电子-空穴对
C.在杂质半导体中不可能发生本征吸收
D.通过在半导体的端面加谐振腔可以提高半导体对光的吸收
A.只要用光照射半导体材料，就可以产生非平衡载流子
B.入射光子能量必须大于等于半导体的禁带宽度
C.非平衡电子和空穴成对产生
D.受到入射能量的激发，价带电子跃迁到导带，产生非平衡载流子
A.由光激发产生的电子，无法到达导带，与留在价带中的空穴通过库仑力结合在一起，形成一种处于激发状态的新系统
B.新系统中的电子和空穴不能单独移动
C.整个系统呈电中性
D.激子具有和孤立氢原子相同的量子化能级
E.新系统中的电子和空穴可以单独移动
F.通常半导体材料中的激子在室温下就可以观察到
