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[单选题]

对于P型半导体来说,以下说法不正确的是()。

A.空穴为多子,电子为少子

B.能带图中费米能级靠近价带顶

C.光照时内部不可能产生本征吸收

D.弱光照时载流子寿命与热平衡时空穴浓度成反比

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第1题
关于P型半导体的下列说法,错误的是()。

A.空穴是多数载流子

B.在二极管中,P型半导体一侧接出引线后,是二极管的正极

C.在纯净的硅衬底上,掺杂五价元素,可形成P型半导体

D.在NPN型的晶体管中,基区正是由P型半导体构成

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第2题
对于N型半导体,当掺杂浓度提高时,费米能级分别向()移动;对于P型半导体,当温度升高时,费米能级向()移动。
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第3题
在半导体材料中,其说法正确的是()

A.P型半导体和N型半导体材料本身不带电

B.P型半导体中,由于多数载流子为空穴,所以它带正电

C.N型半导体中,由于多数载流子为自由电子,所以它带负电

D.N型半导体中,由于多数载流子为空穴,所以它带负电

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第4题
以下对于信息安全管理体系说法不正确的是:()

A.P(Process):处理

B.D(Do):实施

C.C(Check):检查

D.A(Action):行动

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第5题
以下关于管理信息系统的说法不正确的是()。

A.对于一个企业来说没有计算机也有管理信息系统

B.管理信息系统是任何企业不能没有的系统

C.对于企业而言管理信息系统只有优劣之分,不存在有无的问题

D.管理信息系统就是计算机的应用

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第6题
下列关于P型或N型半导体说法正确的是()。

A.在硅或锗的晶体中掺入5价元素形成N型半导体,也称为空穴半导体

B.在硅或锗的晶体中掺入5价元素形成N型半导体,也称为电子半导体

C.在硅或锗的晶体中掺入5价元素形成P型半导体,也称为空穴半导体

D.在硅或锗的晶体中掺入3价元素形成P型半导体,也称为电子半导体

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第7题
以下关于MOS空间电荷区宽度的说法中,正确的是()。

A.半导体表面反型时,空间电荷区宽度达到最大值

B.空间电荷区宽度最大时,强反型区的电子或空穴会屏蔽表面电场

C.空间电荷区宽度达到最大值后,表面势的变化不会引起空间电荷区宽度的变化

D.对于n型,外加电压VG>0并逐渐增大时,空间电荷区宽度逐渐增大直至达到最大值

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第8题
对于通讯系统来说,以下关于支持保障系统中的通讯系统,说法不正确的是()。

A.通讯系统是保障应急救援工作正常开展的关键

B.保证整个应急救援过程中救援组织内部以及内部与外部之间通讯的通畅

C.应设立备用的通讯系统

D.明确通讯系统的法律责任

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第9题
关于PN结说法正确的是()。

A.利用杂质补偿原理,在P型和N型半导体的界面上形成PN结

B.在PN结的界面上发生载流子的扩散;由于复台作用,界面上载流子被耗尽

C.耗尽层内由于离子带电形成空间电荷区

D.内建电场引起的漂移运动与扩散运动方向相反,最终阻止载流子的进一步移动

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第10题
以下关于“本征半导体”与“杂质半导体”的描述正确的是()。
A、纯净无杂质、结构理想无缺陷的半导体是本征半导体

B、实际的半导体材料总是存在杂质和缺陷的,只要杂质和缺陷在一定限度内,就可看作是本征半导体

C、本征半导体掺入杂质可形成杂质半导体

D、本征半导体掺入施主杂质可形成n型半导体,掺入受主杂质可形成p型半导体

E、n型半导体依靠导带电子导电

F、p型半导体依靠价带空穴导电

G、本征半导体中载流子由本征激发产生

H、本征半导体中导带电子浓度等于价带空穴浓度

I、施主杂质电离可以为半导体提供导电电子

J、受主杂质电离可以为半导体提供导电空穴

K、杂质半导体中载流子主要靠杂质电离产生

L、杂质半导体中也存在本征激发的过程

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第11题
靠电子导电的半导体叫空穴半导体,简称P型半导体。()
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