本征激发指的是哪种电子跃迁?()
A.价带的电子跃迁到导带
B.导带的电子跃迁到价带
C.施主态上的电子跃迁到导带
D.受主态上的电子跃迁到价带
A.价带的电子跃迁到导带
B.导带的电子跃迁到价带
C.施主态上的电子跃迁到导带
D.受主态上的电子跃迁到价带
A.是电子从价带到导带的跃迁,产生电子-空穴对
B.产生本征吸收的条件是入射光子能量大于等于材料的禁带宽度
C.是电子从导带到价带的跃迁,并伴随发射光子能量
D.产生本征吸收的条件是入射光子能量小于等于材料的禁带宽度
B、实际的半导体材料总是存在杂质和缺陷的,只要杂质和缺陷在一定限度内,就可看作是本征半导体
C、本征半导体掺入杂质可形成杂质半导体
D、本征半导体掺入施主杂质可形成n型半导体,掺入受主杂质可形成p型半导体
E、n型半导体依靠导带电子导电
F、p型半导体依靠价带空穴导电
G、本征半导体中载流子由本征激发产生
H、本征半导体中导带电子浓度等于价带空穴浓度
I、施主杂质电离可以为半导体提供导电电子
J、受主杂质电离可以为半导体提供导电空穴
K、杂质半导体中载流子主要靠杂质电离产生
L、杂质半导体中也存在本征激发的过程
A.先增大(考虑杂质电离和电离杂质散射),后减小(考虑晶格振动散射),再增大(考虑本征激发)
B.先增大(考虑杂质电离和晶格振动散射),后减小(考虑晶格振动散射),再增大(考虑本征激发)
C.先减小(考虑晶格振动散射),后增大(考虑本征激发),再减小(考虑晶格振动散射)
D.先增大(晶格振动散射),后减小(考虑杂质电离和电离杂质散射),再增大(考虑本征激发)
A.低温区,载流子浓度随温度按指数规律变化
B.强电离区,载流子浓度不随温度变化
C.本征激发区,载流子浓度随温度按指数规律变化
D.强电离区,载流子浓度随温度按指数规律变化
E.本征激发区,载流子浓度不随温度变化
F.低温区,载流子浓度不随温度变化