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题目内容 (请给出正确答案)
[单选题]

本征激发指的是哪种电子跃迁?()

A.价带的电子跃迁到导带

B.导带的电子跃迁到价带

C.施主态上的电子跃迁到导带

D.受主态上的电子跃迁到价带

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第1题
关于本征吸收,以下说法正确的是?()

A.是电子从价带到导带的跃迁,产生电子-空穴对

B.产生本征吸收的条件是入射光子能量大于等于材料的禁带宽度

C.是电子从导带到价带的跃迁,并伴随发射光子能量

D.产生本征吸收的条件是入射光子能量小于等于材料的禁带宽度

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第2题
以下关于“本征半导体”与“杂质半导体”的描述正确的是()。
A、纯净无杂质、结构理想无缺陷的半导体是本征半导体

B、实际的半导体材料总是存在杂质和缺陷的,只要杂质和缺陷在一定限度内,就可看作是本征半导体

C、本征半导体掺入杂质可形成杂质半导体

D、本征半导体掺入施主杂质可形成n型半导体,掺入受主杂质可形成p型半导体

E、n型半导体依靠导带电子导电

F、p型半导体依靠价带空穴导电

G、本征半导体中载流子由本征激发产生

H、本征半导体中导带电子浓度等于价带空穴浓度

I、施主杂质电离可以为半导体提供导电电子

J、受主杂质电离可以为半导体提供导电空穴

K、杂质半导体中载流子主要靠杂质电离产生

L、杂质半导体中也存在本征激发的过程

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第3题
γ射线是一种来源是原子核衰变过程中受激发的电子从高能级向低能级跃迁时发出的。()
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第4题
半导体中的光吸收,主要有以下哪几种?()

A.本征吸收

B.自由载流子吸收

C.杂质吸收

D.激子吸收

E.谷间跃迁吸收

F.D-A对吸收

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第5题
随着温度的升高,非简并n型半导体电导率的变化过程为?()

A.先增大(考虑杂质电离和电离杂质散射),后减小(考虑晶格振动散射),再增大(考虑本征激发)

B.先增大(考虑杂质电离和晶格振动散射),后减小(考虑晶格振动散射),再增大(考虑本征激发)

C.先减小(考虑晶格振动散射),后增大(考虑本征激发),再减小(考虑晶格振动散射)

D.先增大(晶格振动散射),后减小(考虑杂质电离和电离杂质散射),再增大(考虑本征激发)

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第6题
关于“载流子浓度随温度的变化”,以下说法正确的是:()。

A.低温区,载流子浓度随温度按指数规律变化

B.强电离区,载流子浓度不随温度变化

C.本征激发区,载流子浓度随温度按指数规律变化

D.强电离区,载流子浓度随温度按指数规律变化

E.本征激发区,载流子浓度不随温度变化

F.低温区,载流子浓度不随温度变化

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第7题
P型半导体是在本征半导体中加入微量的()元素构成。

A.三价

B.四价

C.五价

D.六价

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第8题
N型半导体是在本征半导体中加入()后形成的杂质半导体。

A.空穴

B.三价元素

C.五价元素

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第9题
P型半导体是在本征半导体中加入()后形成的杂质半导体。

A.空穴

B.三价元素硼

C.五价元素锑

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第10题
P型半导体是在本征半导体中加入微量的()元素构成的。A.三价B.四C.五价D.六价

P型半导体是在本征半导体中加入微量的()元素构成的。

A.三价

B.四

C.五价

D.六价

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