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图(a)所示电路中，已知M=(200+100cos 3ωt)V，R=50Ω，ωL=5Ω，
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图3-36所示电路中，已知
求:(1)通过电阻R的电流iR;(2)A、B两端电压uAB。
在图LT3-4所示电路中,已知VGS(th)=-1.5V,增强型MOS管的
沟道长度调制效应忽略不计,试求
值.
在图NP4-9所示的差分对管调制电路中,已知
晶体三极管β很大,VBE(on)可忽略。试用开关函数求ic=(ic1-ic2)值。
度升高40℃时的ICQ与VCEQ值。
在图LP4-8所示的多级直接耦合放大器中,第二级为电平位移电路.已知各管的β=100,
可忽略不计.各管的
(1)为使
试确定RF2值;(2)若RF2=0,电路能否正常工作？
超前于
超前于
求U1和U2。
