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第1题
在半导体pn结的空间电荷区分布有正、负离子,n区内是正离子,p区内是负离子，两区内的电荷量相等，
如习题7-23图所示。取x轴的原点在pn结的交界面上,p区的范围和n区的范围
,其电荷的体分布为ρ(x)=-eax,式中a为常量。试证明该电荷区的电场分布为
，并画出ρ(x)和E(x)随x变化的曲线。(提示;把pn结看成是一对带正、负电荷的无限大平板。)
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,其电荷的体分布为ρ(x)=-eax,式中a为常量。试证明该电荷区的电场分布为，并画出ρ(x)和E(x)随x变化的曲线。(提示;把pn结看成是一对带正、负电荷的无限大平板。)
第5题
下列关于PN结隧道击穿的说法中，错误的是（)。
A.势垒区宽度较大的PN结容易发生隧道击穿
B.隧道击穿也称齐纳击穿
C.隧道击穿发生在重掺杂PN结中
D.隧道击穿的击穿电压温度系数为负
第6题
在一定温度下，以下措施不能使PN结的接触电势差变大的是（)。
A.减小低掺杂区的掺杂浓度
B.提高P区和N区的掺杂浓度
C.选用禁带宽度高的半导体材料
D.选用本征载流子浓度小的半导体材料
第11题
以下关于MOS空间电荷区宽度的说法中，正确的是（)。
A.半导体表面反型时，空间电荷区宽度达到最大值
B.空间电荷区宽度最大时，强反型区的电子或空穴会屏蔽表面电场
C.空间电荷区宽度达到最大值后，表面势的变化不会引起空间电荷区宽度的变化
D.对于n型，外加电压VG>0并逐渐增大时，空间电荷区宽度逐渐增大直至达到最大值
