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[单选题]
在一定温度下，以下措施不能使PN结的接触电势差变大的是（)。
A.减小低掺杂区的掺杂浓度
B.提高P区和N区的掺杂浓度
C.选用禁带宽度高的半导体材料
D.选用本征载流子浓度小的半导体材料
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B.提高P区和N区的掺杂浓度
C.选用禁带宽度高的半导体材料
D.选用本征载流子浓度小的半导体材料
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影响化学反应速率的因素很多，下列措施一定能使2H2O2=—2H2O+O2↑反应速率加快的是
A.降低温度
B.升高温度
C.降低反应物浓度
D.减小压强
A.二极管温度传感器的原理是PN结的电流随温度而变化
B.二极管温度传感器的原理是PN结的电压随温度而变化
C.三极管不可以代替二极管做成温度传感器
D.其它选项都对
A.势垒区宽度较大的PN结容易发生隧道击穿
B.隧道击穿也称齐纳击穿
C.隧道击穿发生在重掺杂PN结中
D.隧道击穿的击穿电压温度系数为负
A.异质 pn 结的高注入特性是区别同质 pn 结的主要特点之一
B.决定同质pn结注入比的是掺杂浓度，要想获得大的注入比就要求
C.决定异质pn结注入比的是 ，通常可获得较大的注入比
D.同质pn结具有比异质pn结更大的注入比
