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题目内容 (请给出正确答案)
[单选题]

以npn晶体管为例,内建电场的存在加速了()在基区中的运动,该载流子做()运动。

A.电子,扩散

B.电子,漂移和扩散

C.空穴,扩散

D.空穴,漂移和扩散

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第1题
大注入时正向电流的扩散系数相比小注入时增加了一倍的原因是大注入产生的内建电场具有加速少子运输的作用,效果上相当于扩散系数增加一倍。()
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第2题
单边突变结的()主要取决于低掺杂一侧的杂质浓度。

A.内建电势

B.耗尽区宽度

C.最大电场

D.势垒高度

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第3题
晶体管的组成形式有()两种.

A.NPN

B.PNP

C.PPN

D.NNP

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第4题
晶体管的基本类型有PNP型和NPN型两种。()
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第5题
在足够能量的光照射太阳电池表面时,在P-N结内建电场的作用下N区的()向P区运动。

A.电子

B.空穴

C.质子

D.光子

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第6题
测试NPN型晶体管穿透电流的电路如图P6.19所示.(1)电路中引入了哪种反馈?测试晶体管穿透电流的

测试NPN型晶体管穿透电流的电路如图P6.19所示.

(1)电路中引入了哪种反馈?测试晶体管穿透电流的原理是什么?

(2)选择合适的R,在Multisim环境下测试晶体管的穿透电流.

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第7题
NPN晶体管工作在放大区时,其集电极电位Vc、基极电位VB、发射极电位VE的关系为:Vc>VB>VE。()
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第8题
下面哪一种方法是不能提高npn晶体管的发射效率()。

A.提高发射区的掺杂浓度

B.采用宽禁带基区材料

C.减小基区掺杂浓度

D.减少发射结复合电流

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第9题
CCD是一种固体摄像器件,它内部工作过程是,第一步是把照射在感光面上的光通量变成相应的电荷,第二步移动电荷,这一作用是由像素单元内部的()而完成的。

A.发光二极管

B.光敏二极管

C.场效应晶体管

D.NPN半导体晶体管

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第10题
关于P型半导体的下列说法,错误的是()。

A.空穴是多数载流子

B.在二极管中,P型半导体一侧接出引线后,是二极管的正极

C.在纯净的硅衬底上,掺杂五价元素,可形成P型半导体

D.在NPN型的晶体管中,基区正是由P型半导体构成

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