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[判断题]

NPN晶体管工作在放大区时，其集电极电位Vc、基极电位VB、发射极电位VE的关系为：Vc＞VB＞VE。（）

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第1题

工作在放大区的某晶体管，当基极电流从20μA增大到40μA时，集电极电流从1亳安变成2毫安，它的β约为（)

A.10

B.50

C.100

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第2题

在放大电路中，不管是PNP管还是NPN管，只要基极电位升高，其集电极电位就必定降低。（)

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第3题

半导体三极管发射结和集电结均为反向偏置时，晶体管工作在（）

A.放大区

B.饱和区

C.截止区

D.不能确定

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第4题

根据晶体管的工作状态，以下属于其输出特性区域的有（)

A.截止区

B.饱和区

C.放大区

D.基区

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第5题

当晶体管发射结正偏，晶体管工作在放大区。（)

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第6题

一个NPN管子在电路中正常工作，现测得UBE＞0，UBC小于0，UCE＞0，则此时该管子工作区为（）

A.饱和区

B.截止区

C.放大区

D.三者皆不是

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第7题

在放大电路中，晶体管工作在放大区，以实现放大作用。（)

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第8题

放大电路的非线性失真,是由于晶体管工作时进入（)区引起的

A.放大区

B.非线性区

C.线性区

D.稳压区

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第9题

晶体管工作在放大区，发射结和集电结偏置的正确设计是（)。

A.正偏、正偏

B.正偏、反偏

C.反偏、正偏

D.反偏、反偏

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第10题

NPN型硅管各极对地电位分别是V1=6V，V2=2.7V，V3=2V，则1，2，3分别为（)

A.基极、集电极、发射极

B.发射极、基极、集电极

C.集电极、发射极、基极

D.集电极、基极、发射极

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第11题

当改变单一晶体管放大电路集电极电阻RC而其它参数不变时，其静态工作点Q随之向（)移动。

A.上

B.下

C.左

D.右

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