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[主观题]
在如图D-2所示电路中，电动势E＝100V，内阻R0＝0.5Ω，电阻R1＝4.5Ω，R2＝95Ω。求：（1）电路总电流；（2）电阻R1和R2上的电压；（3）电源总功率；（4）负载消耗的功率。图D-2
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(2)选择合适的R,在Multisim环境下测试晶体管的穿透电流.
电路如图题2.1.1所示，运放的
设输出电压的最大饱和电压值±Vom=±11V.(1)如果vP=25μV,vN=100μV,试求输出电压v0=？实际上v0应为多少？(2)设Vom=±11V,画出它的传输特性。
体是在串联还是并联谐振下工作？(2)电路中采用了什么稳幅措施，它是如何工作的？
值;(2)求闭环电压增益AP=v0/vs、电流增益Ai=iL/i1和功率增益AP=P0/Pi;(3)当最大输出电压Vo(max)=10V，反馈支路R1、R2的电流为100μA，R2=9R1时，求R1、R2的值。
多路电流源电路如图题7.1.7所示(LM741的偏置电路)，求电路中各支路电流IREF
。假设BJT的|VBE|=0.6V，β=∞，各管结面积相同。
电路如图P3.1(c)、(e)所示,晶体管的β均为200,rbe均为3kΩ.场效应管的gm为15mS;Q点合适.求解Au、Ri和R0.
P3.1
