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[主观题]

多路电流源电路如图题7.1.7所示(LM741的偏置电路),求电路中各支路电流IREF。假设BJT的|

多路电流源电路如图题7.1.7所示(LM741的偏置电路),求电路中各支路电流IREF。假设BJT的|

多路电流源电路如图题7.1.7所示(LM741的偏置电路),求电路中各支路电流IREF多路电流源电路如图题7.1.7所示(LM741的偏置电路),求电路中各支路电流IREF。假设BJT的假设BJT的|VBE|=0.6V,β=∞,各管结面积相同。

多路电流源电路如图题7.1.7所示(LM741的偏置电路),求电路中各支路电流IREF。假设BJT的

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第1题
多路电流源电路如图P4.3所示,已知所有晶体管的特性均相同,UBE均为0.7V.试求Ic1、Ic2⌘

多路电流源电路如图P4.3所示,已知所有晶体管的特性均相同,UBE均为0.7V.试求Ic1、Ic2各为多少.

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第2题
电路如图题4.4.2(主教材图4.4.8)所示。 设电流源电流I=0.5mA,VDD=VSS=5V,Rd=9千欧,
电路如图题4.4.2(主教材图4.4.8)所示。 设电流源电流I=0.5mA,VDD=VSS=5V,Rd=9千欧,

Cs很大,对信号可视为短路。场效应管的VTS=0.8V,KN=1mA/V,输出电阻rds=∞。试求电路的小信号电压增益AF

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第3题
串级电流源电路如图题7.1.3所示,NMOS管都工作在饱和放大区,其VTN=0.6V,K'n=μnc01=
160μA/V2,λn=1/10V'L=1μm,W1=W3=4μm,W2=W4=40μm,电路中IREF=20μA,(1)求输出电流I0、T2和T4的VGS2、VGS4,保证电路工作的最小输出电压Vomin的值;(2)求gm2,gm和r02、r04的值,以及电路输出电阻R0的值。

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第4题
电路如图题6.4.5所示,其中VDD=5V,Rsi=2千欧,Rg1=60千欧,Rg2=40千欧,Rd=R≇

电路如图题6.4.5所示,其中VDD=5V,Rsi=2千欧,Rg1=60千欧,Rg2=40千欧,Rd=RL=5.1 千欧,MOS管参数为Kn=0.8mA/V2,VTN=1V,λ=0,Cgn=1pF,Cgd=0.4pF。试求该电路的中频源电压增益ArSM和源电压增益的上限频率fH

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第5题
电路如图题4.5.4(主教材图4.5.1)所示。设Rg=0.75千欧,Rg1=Rg2=240千欧,Rs1=4千
电路如图题4.5.4(主教材图4.5.1)所示。设Rg=0.75千欧,Rg1=Rg2=240千欧,Rs1=4千

欧。场效应管的gm=11.3mS,rds=50千欧。试求源极跟随器的源电压增益Ars=v0/vs、输入电阻R1和输出电阻R0

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第6题
无损LC谐振电路如图5-4所示,设,激励信号为电流源i(t),响应为输出电压v(t),若,求:(1) (2)讨论本
无损LC谐振电路如图5-4所示,设,激励信号为电流源i(t),响应为输出电压v(t),若,求:(1) (2)讨论本

无损LC谐振电路如图5-4所示,设,激励信号为电流源i(t),响应为输出电压v(t),若,求:

(1)

(2)讨论本题结果与教材例5-1的结果有何共同特点.

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第7题
电路如图题3.4.14所示,D为硅二极管,VD=2V,R=1千欧,正弦信号ve=50sin(2πx50t)mV。(1)静
电路如图题3.4.14所示,D为硅二极管,VD=2V,R=1千欧,正弦信号ve=50sin(2πx50t)mV。(1)静

态(即ve=0)时,求二极管中的静态电流和v0的静态电压;(2)动态时,求二极管中的交流电流振幅和v0的交流电压振幅;(3)求输出电压v0的总量。

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第8题
电路如图题2.3.1所示,vs=1V,设运放是理想的。(1)求i1,i1,i2、v0和iL
电路如图题2.3.1所示,vs=1V,设运放是理想的。(1)求i1,i1,i2、v0和iL

值;(2)求闭环电压增益AP=v0/vs、电流增益Ai=iL/i1和功率增益AP=P0/Pi;(3)当最大输出电压Vo(max)=10V,反馈支路R1、R2的电流为100μA,R2=9R1时,求R1、R2的值。

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第9题
电路如图题11.3.5所示,当电路中负载I0和电感L较小时,试分析在整个开关周期T内电感电流iL
断流条件下的工作特性,当vG的波形和V1已知时,画出vG,iL,vS和v0的波形。

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第10题
共源-共基放大电路如图题5.9.2所示。设T1管的参数为:Kn=300μA/V2,W=240μm,L=2μm,VT
N=-4V,λ=0.01。T2管的β=100。试求电路的静态工作点,电压增益和输入电阻。

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