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题目内容（请给出正确答案）

[主观题]

在一块N型Si衬底上，通过离子注入方式形成一个PN结二极管，其纵向剖面如下图所示。(1)分别画出采用负胶和正胶工艺形成这个PN结二极管时所采用的掩模板的形貌，即P区、N区和P区的形成。(2)如果制作小尺寸的PN结二极管，采用负胶还是正胶，为什么?

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更多“在一块N型Si衬底上，通过离子注入方式形成一个PN结二极管，…”相关的问题

第1题

离子注入在衬底中产生的损伤主要有（）等三种。

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第2题

杂质离子注入衬底后阻挡机制有()。

A.分子阻挡

B.离子阻挡

C.原子核阻挡

D.电子阻挡

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第3题

下面哪种方式是无法减少MOS器件的亚阈值摆幅（）。

A.减少衬底掺杂浓度

B.减少SiO₂/Si界面处的固定电荷密度

C.减少氧化层厚度

D.降低器件工作温度

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第4题

关于P型半导体的下列说法，错误的是（)。

A.空穴是多数载流子

B.在二极管中，P型半导体一侧接出引线后，是二极管的正极

C.在纯净的硅衬底上，掺杂五价元素，可形成P型半导体

D.在NPN型的晶体管中，基区正是由P型半导体构成

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第5题

‎MOS电容器的基本结构包含()。‌

‎MOS电容器的基本结构包含（)。‌

A.半导体(Si衬底)

B.金属(栅极/电极)

C.氧化物(SiO2)

D.以上都不是

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第6题

抽油机井测电流时需要选用一块合适且校验合格的钳形电流表测上、下冲程电流。（）

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第7题

在一块半导体晶片上采取一定的掺杂工艺，使两边分别形成P型和N型半导体，那么在这两种半导体的交界处会形成一层很薄的层，称为()。

在一块半导体晶片上采取一定的掺杂工艺，使两边分别形成P型和N型半导体，那么在这两种半导体的交界处会形成一层很薄的层，称为（)。

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第8题

通常称在低阻衬底材料上生长高阻外延层的工艺为正向外延，反之称为反向外延。（）

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第9题

将一块Q235B级钢板与Q345B级钢板通过焊接进行连接时，宜选择E43型焊条。()

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第10题

在平整轧制中，通过对弯辊方式的调整可以改善板形。（）

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第11题

SOS是在()衬底上外延单晶硅。

A.蓝宝石

B.多晶硅

C.单晶硅

D.钻石

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