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[单选题]

关于半导体二极管的主要参数,下列说法不正确的是()。

A.最大整流电流:管子长期运行时,允许通过的最大正向平均电流

B.正向压降:二极管正向导通后的压降,一般情况,硅管的正向压降为0.2V左右

C.反向电流:指管子未击穿时的反向电流,这个值越小,管子的单向导电性越好

D.极间电容:PN结存在扩散电容和势垒电容,极间电容是反映二极管中PN結电容效应的参数,它是扩散点燃和势垒电容之和

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第1题
半导体二极管的主要参数有,①最大整流电流和极间电容②反向击穿电压和反向电流③正向压降和反向恢复时间④最长工作时间()。

A.①②

B.①②③

C.②③

D.①②③④

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第2题
关于P型半导体的下列说法,错误的是()。

A.空穴是多数载流子

B.在二极管中,P型半导体一侧接出引线后,是二极管的正极

C.在纯净的硅衬底上,掺杂五价元素,可形成P型半导体

D.在NPN型的晶体管中,基区正是由P型半导体构成

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第3题
使用二极管时,应考虑的主要参数是()和()。
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第4题
根据本讲,下列关于我国集成设备市场现状说法正确的是()?

A.我国在集成电路的生产上已经取得长足发展

B.集成电路设备领域仍是我国短板

C.IC设计领域仍是我国短板

D.我国占据全球半导体市场需求的绝对龙头地位

E.我国半导体市场需求仍然在大幅度提升

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第5题
利用半导体二极管的单向导电性,可组成()电路。
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第6题
半导体整流电源中使用的整流二极管应选用()。

A.变容二极管

B.面接触型二极管

C.点接触型二极管

D.稳压二极管

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第7题
二极管的阳极从()型半导体引出,阴极从()型半导体引出。

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第8题
二极管、三极管是用()材料制成的。

A.半导体

B.导体

C.超导体

D.绝缘体

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第9题
半导体二极管的内部结构可分为点接触式和()。
半导体二极管的内部结构可分为点接触式和()。

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第10题
下列关于知识产权与物权的说法中不正确是()。

A.知识产权在独占性、专有性和排他性弱于物权

B.物权可通过事实占有方式实现,而知识产权则须仰仗法律的保障

C.当知识产权与物权发生冲突时,物权通常要让位于知识产权

D.知识产权的期限在法律上有明确规定,而物权的期限则与物的自然寿命竞合

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第11题
PN结型功率二极管的基本结构是半导体PN结,具有单向导电性。()
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