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[判断题]

刻蚀工序刻蚀槽HSO4作用是参与工艺反应，快速提升刻蚀速率（）

答案

否

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第1题

刻蚀槽中H2SO4的作用：参与硅片反应（）

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第2题

物理化学刻蚀中既有（)的碰撞，又有（)的反应。

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第3题

在生产过程中必须使用（)来完成浅沟槽隔离STI。

A.单晶硅刻蚀

B.多晶硅刻蚀

C.二氧化硅刻蚀

D.氮化硅刻蚀

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第4题

刻蚀要求在整个晶圆上有一个均匀的刻蚀速率，（)是在晶圆上由测量刻蚀过程前后特定点的厚度，并计算这些点的刻蚀速率而得到的。

A.选择性

B.均匀性

C.轮廓

D.刻蚀图案

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第5题

（)是测量在刻蚀过程中物质被移除的速率有多快的一种参数。

A.刻蚀速率

B.刻蚀深度

C.移除速率

D.刻蚀时间

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第6题

铜与氯形成的化合物挥发能力不好，因而铜的刻蚀无法以化学反应来进行，而必须施以（)。

A.等离子体刻蚀

B.反应离子刻蚀

C.湿法刻蚀

D.溅射刻蚀

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第7题

刻蚀擦拭皮带用纯水直接擦拭（）

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第8题

下列组合中哪一种基本上用于刻蚀前者的干刻蚀法大都可以用来刻蚀后者()。

下列组合中哪一种基本上用于刻蚀前者的干刻蚀法大都可以用来刻蚀后者（)。

A.二氧化硅氮化硅

B.多晶硅硅化金属

C.单晶硅多晶硅

D.铝铜

E.铝硅

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第9题

刻蚀主机台换完水碱后不必跑假片（）

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第10题

离子束加工技术利用注入效应加工的是（)。

A.溅射镀膜

B.离子镀

C.离子注入

D.离子束刻蚀

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第11题

干法刻蚀主要包括下面几类（)。

A.离子束刻蚀IBE

B.等离子体刻蚀PE

C.反应离子刻蚀RIE

D.高密度等离子体刻蚀HDP

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