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[主观题]

在图3.10所示电路中,已知U=220v, 超前于 超前于 求U1和U2

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第1题
电路如题图E4-10所示,已知:R1=8Ω,R2=12Ω,L=0.6H,U=220V。S闭合后经过多少时间电流i才
达到15A?

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第2题
题图所示电路中,U=220V,I=2A,元件A消耗的功率为()

A.-440W

B.110W

C.440W

D.-110W

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第3题
在题4.4图所示电路中,US=4V,u(t)=3sin2tV,求电阻上的电压UR

在题4.4图所示电路中,US=4V,u(t)=3sin2tV,求电阻上的电压UR

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第4题
在图LT3-4所示电路中,已知VGS(th)=-1.5V,增强型MOS管的沟道长度调制效应忽略不计,试求值.
在图LT3-4所示电路中,已知VGS(th)=-1.5V,增强型MOS管的沟道长度调制效应忽略不计,试求值.

在图LT3-4所示电路中,已知VGS(th)=-1.5V,增强型MOS管的沟道长度调制效应忽略不计,试求值.

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第5题
在图NP4-9所示的差分对管调制电路中,已知晶体三极管β很大,VBE(on)可忽略。试用开关函数求i≇
在图NP4-9所示的差分对管调制电路中,已知晶体三极管β很大,VBE(on)可忽略。试用开关函数求i≇

在图NP4-9所示的差分对管调制电路中,已知晶体三极管β很大,VBE(on)可忽略。试用开关函数求ic=(ic1-ic2)值。

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第6题
在图LP4-8所示的多级直接耦合放大器中,第二级为电平位移电路.已知各管的β=100,可忽略不计.各

在图LP4-8所示的多级直接耦合放大器中,第二级为电平位移电路.已知各管的β=100,可忽略不计.各管的(1)为使试确定RF2值;(2)若RF2=0,电路能否正常工作?

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第7题
在图LT4-23所示两级共发放大器的交流通路中,已知试估算该电路的土限频率fH.(忽略第二级输
在图LT4-23所示两级共发放大器的交流通路中,已知试估算该电路的土限频率fH.(忽略第二级输

在图LT4-23所示两级共发放大器的交流通路中,已知试估算该电路的土限频率fH.(忽略第二级输入电容对第一级的影响.)

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第8题
在图LP4-3所示电路中,已知室温下硅管的β=100,VBE(on)=0.7 V,ICBO=10-15A,试求温
在图LP4-3所示电路中,已知室温下硅管的β=100,VBE(on)=0.7 V,ICBO=10-15A,试求温

度升高40℃时的ICQ与VCEQ值。

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第9题
在图NP4-19所示场效应管混频器原理电路中,已知场效应管的静态转移特性为,在满足线性时变条件

在图NP4-19所示场效应管混频器原理电路中,已知场效应管的静态转移特性为,在满足线性时变条件下,试画出下列两种情况下gm(t)的波形图,并导出混频跨导gmc表达式。

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第10题
题图所示电路中,已知R=2Ω,电压表的内阻为2.5kΩ,电源电压U=4V,则开关S断开瞬间电压表两端的电压UV为()

A.5V

B.-5000V

C.5000V

D.-5V

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