更多“二极管的反偏电压升高，其结电容()。”相关的问题
第1题
在检测变容二极管的结电容之前，应先将二极管（)，然后打开电源。
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第2题
二极管的死区电压随环境温度的升高而（)。
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第3题
在单相桥式整流电路中，若有一只二极管断开，则负载两端的直流电压将（)。
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第4题
引起晶体管基区宽度调制效应的主要原因是（)。
A.发射结正偏电压变化
B.集电结反偏电压变化
C.基区少子浓度梯度变化
D.发射结势垒宽度变化
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第5题
用一个电压为4.2伏的低电压电池和一堆无源电子元件做电路实验，但连接电路时感觉手不慎被高电压击了一下。可能产生这个高电压的元件是：（)
A.电源变压器的绕组
B. 电解电容器
C. 额定功率为50瓦的大电阻
D. 大电流高反压二极管
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第6题
减小NMOSFET晶体管的亚阈摆幅措施为（）。
A.增加氧化层厚度
B.提高沟道区掺杂浓度
C.降低沟道长度
D.增加衬-源反偏电压
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第7题
通常GTR开关元件的逆变器，在功率晶体管旁反并联一个二极管，其作用是为滞后的负载电流反馈到电源提供通路。（)
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第8题
二极管的电压和电流变化不呈线性关系，其内阻不是常数，所以二极管属于非线性器件。（）
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第9题
当反向电压小于反向击穿电压时，二极管2的反向电流很小，当反向电压大于反向击穿电压后，其反向电流迅速增加。（)
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第10题
处于截止状态的三极管，其工作状态为（)。
A.发射结正偏，集电结正偏
B.发射结反偏，集电结正偏
C.发射结反偏，集电结反偏
D.发射结正偏，集电结反偏
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