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[主观题]

在图LP4-8所示的多级直接耦合放大器中,第二级为电平位移电路.已知各管的β=100,可忽略不计.各

在图LP4-8所示的多级直接耦合放大器中,第二级为电平位移电路.已知各管的β=100,可忽略不计.各管的(1)为使试确定R_F2值;(2)若R_F2=0,电路能否正常工作？

在图LP4-8所示的多级直接耦合放大器中,第二级为电平位移电路.已知各管的β=100,可忽略不计.各

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第1题

在图3-2-100所示的组合结构中,试问:

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第2题

在题4.4图所示电路中，U_S=4V，u（t)=3sin2tV，求电阻上的电压U_R。

在题4.4图所示电路中，U_S=4V，u(t)=3sin2tV，求电阻上的电压U_R。

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第3题

图9-8a所示机构中，已知：OA=BD=DE=0.1m，EP=;ω_OA=4rad/s。在图 9-8a所示位置时，曲柄OA与水平线O

图9-8a所示机构中，已知：OA=BD=DE=0.1m，EP=;ω_OA=4rad/s。在图 9-8a所示位置时，曲柄OA与水平线OB垂直;且B，D和F在同1铅直线上，又DE垂直于EF求杆EF的角速度和点F的速度。

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第4题

设函数f(x)在定义域内可导,y=f(x)的图形如图3-1所示，则导函数f'(x)的图形为图3-2中所示的

设函数f（x)在定义域内可导,y=f（x)的图形如图3-1所示，则导函数f'（x)的图形为图3-2中所示的

四个图形中的哪一个？

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第5题

在图LT3-4所示电路中,已知V_GS(th)=-1.5V,增强型MOS管的沟道长度调制效应忽略不计,试求值.

在图LT3-4所示电路中,已知V_GS（th)=-1.5V,增强型MOS管的沟道长度调制效应忽略不计,试求值.

在图LT3-4所示电路中,已知V_GS(th)=-1.5V,增强型MOS管的沟道长度调制效应忽略不计,试求值.

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第6题

在图P5.7（a)所示电路中,若β=100,r_be=1kΩ,C₁=C₂=Ce100μF,则下限频率f_L=？图P5

在图P5.7(a)所示电路中,若β=100,r_be=1kΩ,C₁=C₂=Ce100μF,则下限频率f_L=？

图P5.7

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第7题

在图1.5.5（a)、（b)所示的两种简单稳压电路中，当电网电压增加时，说明稳压过程？两种电路在结构和

在图1.5.5(a)、(b)所示的两种简单稳压电路中，当电网电压增加时，说明稳压过程？两种电路在结构和原理上有什么不同？

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第8题

在图NP4-9所示的差分对管调制电路中,已知晶体三极管β很大,VBE_(on)可忽略。试用开关函数求i≇

在图NP4-9所示的差分对管调制电路中,已知晶体三极管β很大,VBE_（on)可忽略。试用开关函数求i≇

在图NP4-9所示的差分对管调制电路中,已知晶体三极管β很大,VBE_(on)可忽略。试用开关函数求i_c=(i_c1-i_c2)值。

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第9题

在题9.17图所示电路中，u₁=6sintV，试画出电路的电压传输特性和输出电压波形。

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第10题

在图NT6-3所示的锁相环路中，已知A_O=2π×25krad/(sV)，f_r=50kHz。A₁=2，A_d=0.7v，试

在图NT6-3所示的锁相环路中，已知A_O=2π×25krad/（sV)，f_r=50kHz。A₁=2，A_d=0.7v，试

求环路的同步带。若R=3.6kΩ，C=0.3pF，试求环路的快捕带。

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