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[填空题]

MOS型集成电路又分为()、()、()型。

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第1题
MOS集成电路按其型式有NMOS,PMOS两种。()
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第2题
数值型数据又分为多种不同类型例如()。

A.数值型

B.浮点型

C.单精度型

D.双精度型

E.整型

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第3题
六管MOS型存储单元采用的是()存储信息。

A.电容

B.单稳态触发器

C.双稳态触发器

D.三极管

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第4题
MOS管的栅极与双极型三极管的()相对应。

A.基极

B.集电极

C.发射极

D.发射极或集电极

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第5题
根据桩侧阻力分担荷载的比例,摩擦型桩又分为______和______两类。

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第6题
MOS管的栅极可与双极型栅极的()相对应。

A.基极

B.集电极

C.发射极

D.发射极或集电极

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第7题
MOS结构半导体表面处于反型区时,表面电荷的改变主要依靠的是漂移与扩散运动。()
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第8题
p沟耗尽型MOS管的阈值电压为(),达到阈值电压后,表面为()状态。

A.正值,强反型

B.正值,导电沟道消失

C.负值,强反型

D.负值,导电沟道消失

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第9题
TTL集成电路,()。

A.采用的是金属-半导体-MOS场效应管逻辑

B.采用的是晶体管-晶体管逻辑

C.电源一般为+5V

D.电源一般为-5V

E.电源一般为+9V

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第10题
各类档案馆仅负责管理本馆职权范围内的档案,彼此既无上下从属关系,又无法定的横向联系。这种管理体制可以分为()
各类档案馆仅负责管理本馆职权范围内的档案,彼此既无上下从属关系,又无法定的横向联系。这种管理体制可以分为()

A.美国型

B.英国型

C.西班牙型

D.瑞士型

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第11题
在电学性质上,MOS管的源和漏是可以相互交换的,双极型晶体管的发射极和集电极是可以相互交换的。()
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