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更多“在图2-34a所示构架中，已知F、a。试求A、B两支座约束力…”相关的问题
第1题
在图9-1所示机构中,已知:x=250mm,y=200mm,lAS2=128mm,F为驱动力,Q为有效阻力.m1=m3⌘
在图9-1所示机构中,已知:x=250mm,y=200mm,lAS2=128mm,F为驱动力,Q为有效阻力.m1=m3=2.75kg,m2=4.59kg,Js2=0.0l2kg·m2,又原动件3以等速v=5m/s向下移动,试确定作用在各构件上的惯性力.
第4题
在图LT3-4所示电路中,已知VGS(th)=-1.5V,增强型MOS管的沟道长度调制效应忽略不计,试求值.
在图LT3-4所示电路中,已知VGS（th)=-1.5V,增强型MOS管的沟道长度调制效应忽略不计,试求值.
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在图LT3-4所示电路中,已知VGS(th)=-1.5V,增强型MOS管的
沟道长度调制效应忽略不计,试求
值.
第5题
在图NT6-3所示的锁相环路中，已知AO=2π×25krad/(sV)，fr=50kHz。A1=2，Ad=0.7v，试
在图NT6-3所示的锁相环路中，已知AO=2π×25krad/（sV)，fr=50kHz。A1=2，Ad=0.7v，试
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求环路的同步带。若R=3.6kΩ，C=0.3pF，试求环路的快捕带。
第6题
在图LT4-23所示两级共发放大器的交流通路中,已知试估算该电路的土限频率fH.(忽略第二级输
在图LT4-23所示两级共发放大器的交流通路中,已知试估算该电路的土限频率fH.（忽略第二级输
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在图LT4-23所示两级共发放大器的交流通路中,已知
试估算该电路的土限频率fH.(忽略第二级输入电容对第一级的影响.)
第7题
在图LP4-3所示电路中，已知室温下硅管的β=100，VBE(on)=0.7 V，ICBO=10-15A，试求温
在图LP4-3所示电路中，已知室温下硅管的β=100，VBE（on)=0.7 V，ICBO=10-15A，试求温
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度升高40℃时的ICQ与VCEQ值。
第8题
在图2－14所示曲柄滑块机构中,已知lAB<／sub>=100mm,lBC<／sub>=330mm,n1<／sub>=1500r／min, 1=60°,试
在图2-14所示曲柄滑块机构中,已知lAB=100mm,lBC=330mm,n1=1500r/min,
1=60°,试用解析法求滑块的速度和加速度.
第9题
图9-8a所示机构中，已知：OA=BD=DE=0.1m，EP=;ωOA=4rad/s。在图 9-8a所示位置时，曲柄OA与水平线O
图9-8a所示机构中，已知：OA=BD=DE=0.1m，EP=
;ωOA=4rad/s。在图 9-8a所示位置时，曲柄OA与水平线OB垂直;且B，D和F在同1铅直线上，又DE垂直于EF求杆EF的角速度和点F的速度。
第10题
图a所示杆件，同时承受横向载荷与偏心压力作用。已知许用拉应力[σt]=30MPa，许用压应力[σc⌘
图a所示杆件，同时承受横向载荷与偏心压力作用。已知许用拉应力[σt]=30MPa，许用压应力[σc]=90MPa，h=180mm，b=60mm，l=500mm，试确定F的许用值。
