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题目内容（请给出正确答案）

[主观题]

以80C51单片机为主机，外部扩展一片RAM6264，请画出电路图。写出6264对应的地址空间。完成程序段，

将累加器A的值写到RAM6264的任意一个单元。80C51和RAM6264如图。

以80C51单片机为主机，外部扩展一片RAM6264，请画出电路图。写出6264对应的地址空间。完成

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更多“以80C51单片机为主机，外部扩展一片RAM6264，请画出…”相关的问题

第1题

AT89S51单片机扩展了一片82C55，要求A口以选通的方式输入数据，B口以选通的方式输出数据，同时还要将C口的最高位两根口线置“1”,请编写初始化程序，假设C口地址为:AB7EH。

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第2题

单片机扩展外部数据存储器时，利用（）口加锁存器作为低8位地址线

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第3题

MCS-51单片机进行外部功能扩展时，通常采用两种地址分配方法：（)和（)。

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第4题

当80C51单片机的晶振频率为12MHz时，ALE地址锁存信号端的输出频率为2MHz的脉冲。（)

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第5题

关于80C51的I/O口及功能单元描述不对的是（)。

A.80C51单片机具有一套完善的中断系统

B.80C51单片机内部没有集成有定时/计数器

C.80C51单片机有4个8位的并行口，即P0～P3

D.P0~P3均为双向口，既可作为输入，又可作为输出

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第6题

80C51系列单片机有4个8位串行I/O口。（)

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第7题

51单片机扩展的数据存储器寻址范围为()。

51单片机扩展的数据存储器寻址范围为（)。

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第8题

质量为m电量为q的粒子，以速率v与均匀磁场B成θ角射入磁场，轨迹为一螺旋线，若要增大螺距则要（）。

A、增加磁场B

B、减少磁场B

C、内外部磁感应强度B都与r成反比

D、内部磁感应强度B与r成反比，外部磁感应强度B与r成正比

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第9题

芯片8255A是可编程并口扩展芯片，一片8255A可以将一个并行口扩展成（)个并行口。

A.1

B.2

C.3

D.4

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第10题

MCS-51单片机片外数据存储器与扩展IO口统一编址。（)

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第11题

采用定时器/计数器T0对外部脉冲进行计数，每计数100个脉冲后，T0转为定时工作方式。定时1ms后，又转为计数方式，如此循环不止。假定AT89S51单片机的晶体振荡器的频率为6MHz，请使用方式1实现，要求编写出程序。

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