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图NP5-12所示是单回路变容管调相电路。图中，C2,C3，为高频旁路电容;VΩ=VΩmcosΩt(V);变容管的参数为n=2,VB=1V;回路等效品质因数Qc=20。试求下列情况时的调相指数Mp和最大频偏Δfm。
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图NP5-16(a)所示脉冲计数式鉴频电路。图中，vs(t)是输入调频信号经限幅后的调频脉冲电压，
,Cd和Rd构成微分网络将vs(t)变换为双向微分脉冲序列，而后利用晶体二极管D的单向导电性，将双向脉冲变换为单向脉冲，去触发由T1和T2构成的单稳态电路，产生调频方波，最后通过低通滤波器RφCφ。取出解调电压，试画出
的波形，并求出解调电压vo(t)的表达式。
提示:单稳态电路产生的调频方波，其峰值近似为[R1/(R1+Rc)]Vcc，宽度近似为0.69RBC1。
图LP2-13(a)所示电路中,已知两管的a1=0.99,a2=0.98.T2管的IBC=1.5mA,两管的ICBO很小,均可忽略,|VA|→∞,VCC=15V,R=100Ω,并设两管均工作于放大模式.(1)试画出电路的共发射极简化电路模型;
(2)计算电流IC1、IC2、IBC、IC和电压VCE;(3)比较两个单管的β1、β2与复合管β(=IC/IBC)值.
在图NP5-24(a)所示耦合回路相位鉴频电路中,如果发现下列一种情况，鉴频特性曲线将如何变化？(1)次级回路未调谐在中心频率fc上(高于或低于fc);(2)初级回路未调谐在中心频率fc上(高于或低于fc);(3)初、次级回路均已调谐在中心频率fc上，而耦合系数k由小变大。
在图NP4-19所示场效应管混频器原理电路中，已知场效应管的静态转移特性为
,在满足线性时变条件下，试画出下列两种情况下gm(t)的波形图，并导出混频跨导gmc表达式。
。
试证明图7.7.7(d)所示单端输入，单端输出差分电路的差模电压放大倍数和输入电阻分别为
在图LP4-8所示的多级直接耦合放大器中,第二级为电平位移电路.已知各管的β=100,
可忽略不计.各管的
(1)为使
试确定RF2值;(2)若RF2=0,电路能否正常工作？
在图LT3-4所示电路中,已知VGS(th)=-1.5V,增强型MOS管的
沟道长度调制效应忽略不计,试求
值.
在图NP4-9所示的差分对管调制电路中,已知
晶体三极管β很大,VBE(on)可忽略。试用开关函数求ic=(ic1-ic2)值。
度升高40℃时的ICQ与VCEQ值。
