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[主观题]
光引起的电子跃迁门槛值所需的能量，是由原子规则排列产生的结晶结构中的()所决定的。
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A.在X射线管内产生
B.用高速运动的电子轰击金属靶而产生的
C.是由原子的内层电子跃迁释放能量而发射出的一种电磁波
D.高速运动电子的能量中，只有大约1%的能量转换为X射线
图4-5是氢原子能级图的一部分，大量原子被激发到n=3的能级上．由于电子的跃迁氢原子辐射的光谱有N条，光子的最大能量为E，由图可知（）
A．N=2，E=12．1eV B．N=3,E=10．2 eV C．N=2，E=10．2 eV D．N=3，E=12．1 eV
A.是电子从价带到导带的跃迁，产生电子-空穴对
B.产生本征吸收的条件是入射光子能量大于等于材料的禁带宽度
C.是电子从导带到价带的跃迁，并伴随发射光子能量
D.产生本征吸收的条件是入射光子能量小于等于材料的禁带宽度
图5-5为氢原子能级图的一部分，处于n=4的能级上的电子跃迁时辐射光子的最大能量为 eV，最小能量为 eV．
A.只要用光照射半导体材料，就可以产生非平衡载流子
B.入射光子能量必须大于等于半导体的禁带宽度
C.非平衡电子和空穴成对产生
D.受到入射能量的激发，价带电子跃迁到导带，产生非平衡载流子
