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[主观题]

在半导体、气体或真空中,利用电子或空穴的最小物理实体是()。

在半导体、气体或真空中,利用电子或空穴的最小物理实体是()。

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第1题
以下关于MOS空间电荷区宽度的说法中,正确的是()。

A.半导体表面反型时,空间电荷区宽度达到最大值

B.空间电荷区宽度最大时,强反型区的电子或空穴会屏蔽表面电场

C.空间电荷区宽度达到最大值后,表面势的变化不会引起空间电荷区宽度的变化

D.对于n型,外加电压VG>0并逐渐增大时,空间电荷区宽度逐渐增大直至达到最大值

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第2题
靠电子导电的半导体叫空穴半导体,简称P型半导体。()
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第3题
杂质半导体中,电子的数目与空穴的数目相等。()
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第4题
半导体中运载电荷的载流子是电子和空穴。()
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第5题
P型半导体少数载流子是()

A.空穴

B.质子

C.电子

D.中子

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第6题
在外电场作用下,半导体中同时出现电子电流和空穴电流。()
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第7题
按掺入杂质的不同,杂质半导体分为()。
按掺入杂质的不同,杂质半导体分为()。

A . 电流型半导体

B . 电子型半导体

C . 空穴型半导体

D . 电压型半导体

E . 功率型半导体

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第8题
关于“光注入”,以下说法错误的是:()。

A.只要用光照射半导体材料,就可以产生非平衡载流子

B.入射光子能量必须大于等于半导体的禁带宽度

C.非平衡电子和空穴成对产生

D.受到入射能量的激发,价带电子跃迁到导带,产生非平衡载流子

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第9题
以下关于“本征半导体”与“杂质半导体”的描述正确的是()。
A、纯净无杂质、结构理想无缺陷的半导体是本征半导体

B、实际的半导体材料总是存在杂质和缺陷的,只要杂质和缺陷在一定限度内,就可看作是本征半导体

C、本征半导体掺入杂质可形成杂质半导体

D、本征半导体掺入施主杂质可形成n型半导体,掺入受主杂质可形成p型半导体

E、n型半导体依靠导带电子导电

F、p型半导体依靠价带空穴导电

G、本征半导体中载流子由本征激发产生

H、本征半导体中导带电子浓度等于价带空穴浓度

I、施主杂质电离可以为半导体提供导电电子

J、受主杂质电离可以为半导体提供导电空穴

K、杂质半导体中载流子主要靠杂质电离产生

L、杂质半导体中也存在本征激发的过程

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第10题
一块半导体样品的体积为axbxe如图所示.x轴方向有电流I,沿x方向加有均匀磁场B.实验测得a=0.10cm
,b=0.35cm,c=1.0cm,I=1.0mA,B=0.3T,样品两侧的电势差U=霍耳电压U=6.55mV.

(1)问这半导体是正电荷导电(空穴型)还是负电荷导电(电子型)?

(2)求载流子浓度,设霍耳系数仍具有式(7-8)的形式

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第11题
N型半导体是在本征半导体中加入()后形成的杂质半导体。

A.空穴

B.三价元素

C.五价元素

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