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第2题
以下关于“本征半导体”与“杂质半导体”的描述正确的是()。
A、纯净无杂质、结构理想无缺陷的半导体是本征半导体
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B、实际的半导体材料总是存在杂质和缺陷的，只要杂质和缺陷在一定限度内，就可看作是本征半导体
C、本征半导体掺入杂质可形成杂质半导体
D、本征半导体掺入施主杂质可形成n型半导体，掺入受主杂质可形成p型半导体
E、n型半导体依靠导带电子导电
F、p型半导体依靠价带空穴导电
G、本征半导体中载流子由本征激发产生
H、本征半导体中导带电子浓度等于价带空穴浓度
I、施主杂质电离可以为半导体提供导电电子
J、受主杂质电离可以为半导体提供导电空穴
K、杂质半导体中载流子主要靠杂质电离产生
L、杂质半导体中也存在本征激发的过程
第6题
P型半导体和N型半导体均可制作光敏电阻，但是通常使用N型半导体材料，这是由于电子的()比空穴大。
P型半导体和N型半导体均可制作光敏电阻，但是通常使用N型半导体材料，这是由于电子的（)比空穴大。
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第7题
一块半导体样品的体积为axbxe如图所示.x轴方向有电流I,沿x方向加有均匀磁场B.实验测得a=0.10cm
,b=0.35cm,c=1.0cm,I=1.0mA,B=0.3T,样品两侧的电势差U=霍耳电压U=6.55mV.
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(1)问这半导体是正电荷导电(空穴型)还是负电荷导电(电子型)？
(2)求载流子浓度，设霍耳系数仍具有式(7-8)的形式
第10题
在半导体材料中，其说法正确的是（)
A.P型半导体和N型半导体材料本身不带电
B.P型半导体中，由于多数载流子为空穴，所以它带正电
C.N型半导体中，由于多数载流子为自由电子，所以它带负电
D.N型半导体中，由于多数载流子为空穴，所以它带负电
