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题目内容 (请给出正确答案)
[单选题]

直流偏置为VDD时,下列关于最高振荡频率说法错误的是()。

A.MOS管最高振荡频率工作时一定工作在饱和区

B.MOS管最高振荡频率工作时电流均流向输出回路

C.过驱动电压越高,MOS管最高振荡频率越高

D.栅电容越大,MOS管最高振荡频率越高

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第1题
下列哪项在计算MOS管最高振荡频率时,可以不考虑()。

A.小尺寸器件沟道长度与栅极长度并不完全相等

B.晶格散射导致的载流子迁移率退化

C.小尺寸器件中的纵向电场

D.栅漏电容的米勒效应

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第2题
在实验时发现:利用函数信号发生器产生的正弦信号正负半周不对称,这是由于交流信号上叠加有直流电平,这一现象可以通过改变波形的参数进行改善,以下错误的做法是()。

A.改变波形的频率

B.改变波形的周期

C.改变波形的偏置

D.改变波形的幅度

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第3题
图NP3-11所示为场效应管电感三点式振荡电路,若管子的极间电容和RG不计,试计算振荡频率,并导出
振幅起振条件。图中CG、CD、CS为交流旁路电容和隔直流电容。

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第4题
电力系统发生振荡时,以下关于电压电流说法错误的是()。

A.在振荡的频率高时会发生突变

B.均会发生突变

C.均作往复性摆动

D.不变

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第5题
考虑寄生电容CGD起的是___作用,CGD越大,最高振荡频率fM越___。

A.正反馈,大

B.正反馈,小

C.负反馈,大

D.负反馈,小

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第6题
已知电路和场效应管的输出特性分别如图题4.3.3a(主教材图4.3.7a)和图题4.3.3b(主教材图题4.3.3
已知电路和场效应管的输出特性分别如图题4.3.3a(主教材图4.3.7a)和图题4.3.3b(主教材图题4.3.3

)所示。电路参数为,Rg1=180千欧,Rg2=60千欧,Rd=10千欧,RL=20千欧,VDD=10V。(1)试用图解法作出直流负载线,决定静态点Q值;(2)作交流负载线;(3)当vi=0.5sinwt(V)时求出相应的v0波形和电压增益。

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第7题
TWJX£­1型机车信号在T2UJF吸起时,振荡频率为()。

A.4196Hz

B.4443Hz

C.4572Hz

D.4841Hz

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第8题
电路如图题6.4.5所示,其中VDD=5V,Rsi=2千欧,Rg1=60千欧,Rg2=40千欧,Rd=R≇

电路如图题6.4.5所示,其中VDD=5V,Rsi=2千欧,Rg1=60千欧,Rg2=40千欧,Rd=RL=5.1 千欧,MOS管参数为Kn=0.8mA/V2,VTN=1V,λ=0,Cgn=1pF,Cgd=0.4pF。试求该电路的中频源电压增益ArSM和源电压增益的上限频率fH

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第9题
文氏电桥振荡器的振荡频率为f=1/RC。()
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第10题
证明:题10.1图所示RC振荡电路的振荡频率为

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