首页 > 建筑工程类考试> 环保工程师
题目内容 (请给出正确答案)
[单选题]

PN结势垒区电势最低的位置是()。

A.靠近P区的势垒区边界

B.靠近N区的势垒区边界

C.PN结界面处

D.电势处处相等

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第1题
pn结实际电流电压特性偏离理想值的原因不包括()。

A.体电阻上压降

B.势垒区的产生与复合

C.大注入条件

D.pn结反向击穿

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第2题
下列关于PN结隧道击穿的说法中,错误的是()。

A.势垒区宽度较大的PN结容易发生隧道击穿

B.隧道击穿也称齐纳击穿

C.隧道击穿发生在重掺杂PN结中

D.隧道击穿的击穿电压温度系数为负

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第3题
PN结中,P区电势()于N区电势。

A.高

B.低

C.等

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第4题
热载流子效应引起的影响不包括()。

A.碰撞电离产生衬底电流而使衬底电势起伏

B.热电子跨越Si-SiO2势垒,被注入栅介质

C.漏极电流增大而形成雪崩击穿

D.发射出光子,形成光发射电流

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第5题
一般说来,当势垒区较宽时,即杂质浓度或杂质浓度梯度较小时,容易发生齐纳击穿。反之,则容易发生雪崩击穿。()
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第6题
半导体受光照,在结区两边产生势垒的现象称()。
半导体受光照,在结区两边产生势垒的现象称()。

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第7题
PN结正向偏置是指P型区接电源的负极,N型区接电源的正极。()
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第8题
在半导体pn结的空间电荷区分布有正、负离子,n区内是正离子,p区内是负离子,两区内的电荷量相等,
如习题7-23图所示。取x轴的原点在pn结的交界面上,p区的范围和n区的范围,其电荷的体分布为ρ(x)=-eax,式中a为常量。试证明该电荷区的电场分布为,并画出ρ(x)和E(x)随x变化的曲线。(提示;把pn结看成是一对带正、负电荷的无限大平板。)

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第9题
PN结的空间电荷区的电荷有()。

A.施主离子

B.受主离子

C.电子

D.空穴

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第10题
单边突变结的()主要取决于低掺杂一侧的杂质浓度。

A.内建电势

B.耗尽区宽度

C.最大电场

D.势垒高度

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