题目内容
(请给出正确答案)
[单选题]
PN结势垒区电势最低的位置是()。
A.靠近P区的势垒区边界
B.靠近N区的势垒区边界
C.PN结界面处
D.电势处处相等
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A.靠近P区的势垒区边界
B.靠近N区的势垒区边界
C.PN结界面处
D.电势处处相等
A.势垒区宽度较大的PN结容易发生隧道击穿
B.隧道击穿也称齐纳击穿
C.隧道击穿发生在重掺杂PN结中
D.隧道击穿的击穿电压温度系数为负
A.碰撞电离产生衬底电流而使衬底电势起伏
B.热电子跨越Si-SiO2势垒,被注入栅介质
C.漏极电流增大而形成雪崩击穿
D.发射出光子,形成光发射电流