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[主观题]

氮化镓(GaN)是第三代半导体材料,具有热导率高、化学稳定性好等性质,在光电领域和高频微波器件应用等方面有广阔的前景。(1)传统的氮化镓制各方法是采用GaC13与NH3在一定条件下反应。NH3的电子式为()。(2)Johnson等人首次在1100℃下用液态镓与氨气制得氮化镓固体,该可逆反应每生成1molH2放出10.3kJ热量。其热化学方程式为()。(3)在恒容密闭容器中,加入一定量的液态镓与氨气发生上述反应,测得反应平衡体系中NH3的体积分数与压强(p)、温度(T)的关系如图所示。氮化镓(GaN)是第三代半导体材料,具有热导率高、化学稳定性好等性质,在光电领域和高频微波器件应用等①下列说法正确的是()(填标号)。a.温度:T1>T2b.当百分含量ω(NH3)=ω(H2)时,说明该反应处于化学平衡状态c.A点的反应速率小于C点的反应速率d.温度恒定为T2,达平衡后再充入氦气(氦气不参与反应),NH3的转化率不变②既能提高反应速率又能使平衡正向移动的措施有()(写出一条即可)。③气体分压(p分)=气体总压(p总)×体积分数,用平衡分压代替物质的量浓度也可以表示平衡常数(记作Kp)。在T2时,用含p6的计算式表示C点的()。(4)如图可表示氮化镓与铜组装成的人工光合系统的工作原理。H+向()(填“左”或“右”)池移动;铜电极上发生反应的电极反应式为()。氮化镓(GaN)是第三代半导体材料,具有热导率高、化学稳定性好等性质,在光电领域和高频微波器件应用等

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第1题
我国5G技术处于世界领先地位。氮化镓(GaN)是生产5G芯片的关键材料之一,其中Ga显+3价,则N的化合价为()。

A.-1

B.-3

C.1

D.3

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第2题
太阳能电池一般由半导体材料制成。下面不属于半导体材料的是()。

A.锗

B.玻璃

C.砷化镓

D.硅

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第3题
发光二极管通常用砷化镓、磷化镓等半导体材料制成,它在通过()电流时会发光,发光的颜色取决于所用的材料,可发出红、黄绿及红外光等。

A.正向

B.反向

C.同步

D.同向

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第4题
太阳能电池材料是由元素周期表中的III族元素();()和V族磷、砷元素组成的半导体,如用砷化镓、磷化铟等由III-V族化合物组成的半导体所构成的太阳能电池。
太阳能电池材料是由元素周期表中的III族元素();()和V族磷、砷元素组成的半导体,如用砷化镓、磷化铟等由III-V族化合物组成的半导体所构成的太阳能电池。

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第5题
在N型半导体中掺入微量的()等元素,在半导体中就会产生许多带负电的电子。

A.锑、磷、砷

B.锑、铝、砷

C.铟、磷、砷

D.锑、镓、砷

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第6题
只有半导体材料通电后置于磁场中才具有霍尔效应。()
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第7题
本征半导体,是指化学成分纯净的、具有共价键结构的单晶体半导体材料。()

此题为判断题(对,错)。

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第8题
晶闸管的管芯是由()型四层半导体材料组成,它具有三个PN结。
晶闸管的管芯是由()型四层半导体材料组成,它具有三个PN结。

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第9题
‎以下哪项不是制备核壳结构的半导体量子点的必要条件?()‌

A.壳层的禁带宽度要比相应的核层大

B.对于壳层采用半导体晶体修饰时,两种半导体材料的晶格常数要相匹配,以减少界面张力

C.一定要缓慢滴加前驱体溶液

D.核层的半导体量子点必须具有窄的尺寸分布

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第10题
半导体行业最早采用的半导体材料是锗,最常用的半导体材料是硅。()

此题为判断题(对,错)。

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第11题
材料的禁带宽度,最大的是()

A. 金属;

B. 杂质半导体;

C. 绝缘体;

D. 本征半导体;

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