A.平衡载流子(电子和空穴)的扩散运动
B.平衡载流子(电子和空穴)的漂移运动
C.非平衡载流子(电子和空穴)的漂移运动
D.非平衡载载流子(电子和空穴)的扩散运动
B、实际的半导体材料总是存在杂质和缺陷的,只要杂质和缺陷在一定限度内,就可看作是本征半导体
C、本征半导体掺入杂质可形成杂质半导体
D、本征半导体掺入施主杂质可形成n型半导体,掺入受主杂质可形成p型半导体
E、n型半导体依靠导带电子导电
F、p型半导体依靠价带空穴导电
G、本征半导体中载流子由本征激发产生
H、本征半导体中导带电子浓度等于价带空穴浓度
I、施主杂质电离可以为半导体提供导电电子
J、受主杂质电离可以为半导体提供导电空穴
K、杂质半导体中载流子主要靠杂质电离产生
L、杂质半导体中也存在本征激发的过程
A.只要用光照射半导体材料,就可以产生非平衡载流子
B.入射光子能量必须大于等于半导体的禁带宽度
C.非平衡电子和空穴成对产生
D.受到入射能量的激发,价带电子跃迁到导带,产生非平衡载流子
A.P型半导体和N型半导体材料本身不带电
B.P型半导体中,由于多数载流子为空穴,所以它带正电
C.N型半导体中,由于多数载流子为自由电子,所以它带负电
D.N型半导体中,由于多数载流子为空穴,所以它带负电
(1)问这半导体是正电荷导电(空穴型)还是负电荷导电(电子型)?
(2)求载流子浓度,设霍耳系数仍具有式(7-8)的形式
A.空穴是多数载流子
B.在二极管中,P型半导体一侧接出引线后,是二极管的正极
C.在纯净的硅衬底上,掺杂五价元素,可形成P型半导体
D.在NPN型的晶体管中,基区正是由P型半导体构成