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更多“测得某增强型场效应管栅源电压为2V，已知Vth=1V，则该管…”相关的问题
第4题
题7.24所示电路为耗尽型场效应管的自给偏压放大电路，设场效应管的夹断电压UP=2V，饱和漏极
电流IDSS=2mA，各电容的容抗均可忽略。
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(1)求静态工作点和跨导;
(2)画出微变等效电路，并求电压放大倍数、输入电阻和输出电阻。
(3)若CS=0，重复(2)的计算。
第6题
设一n沟增强型管VTH=2V，VGS=6V，源端接地，以下说法正确的是（)。
A.VDS=0V时，沟道中各点电位相同，沟道厚度各处相同，IDS=0
B.VDS=2V时，漏端沟道厚度比源端厚，但相差不大可近似看成均匀
C.VDS从2V变为4V时，源端沟道越来越薄，IDS随VDS上升减慢
D.VDS=4V时，沟道进入夹断的临界状态，MOS管由导通变为截止
第7题
n沟增强型MOSFET源端接地，工作在可调电阻区时，以下说法错误的是（)。
A.可调电阻区的电压范围为
B.近漏处比近源处的沟道厚度要小
C.此时沟道区呈现电阻特性，电流与基本上是线性关系
D.越大，漏端沟道越来越薄，沟道电阻越大
第10题
已知电路和场效应管的输出特性分别如图题4.3.3a(主教材图4.3.7a)和图题4.3.3b(主教材图题4.3.3
已知电路和场效应管的输出特性分别如图题4.3.3a（主教材图4.3.7a)和图题4.3.3b（主教材图题4.3.3
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)所示。电路参数为，Rg1=180千欧，Rg2=60千欧，Rd=10千欧，RL=20千欧，VDD=10V。(1)试用图解法作出直流负载线，决定静态点Q值;(2)作交流负载线;(3)当vi=0.5sinwt(V)时求出相应的v0波形和电压增益。
