题目内容
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[单选题]
直流偏置为VDD时,下列关于最高振荡频率说法错误的是()。
A.MOS管最高振荡频率工作时一定工作在饱和区
B.MOS管最高振荡频率工作时电流均流向输出回路
C.过驱动电压越高,MOS管最高振荡频率越高
D.栅电容越大,MOS管最高振荡频率越高
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A.MOS管最高振荡频率工作时一定工作在饱和区
B.MOS管最高振荡频率工作时电流均流向输出回路
C.过驱动电压越高,MOS管最高振荡频率越高
D.栅电容越大,MOS管最高振荡频率越高
A.小尺寸器件沟道长度与栅极长度并不完全相等
B.晶格散射导致的载流子迁移率退化
C.小尺寸器件中的纵向电场
D.栅漏电容的米勒效应
A.改变波形的频率
B.改变波形的周期
C.改变波形的偏置
D.改变波形的幅度
)所示。电路参数为,Rg1=180千欧,Rg2=60千欧,Rd=10千欧,RL=20千欧,VDD=10V。(1)试用图解法作出直流负载线,决定静态点Q值;(2)作交流负载线;(3)当vi=0.5sinwt(V)时求出相应的v0波形和电压增益。
电路如图题6.4.5所示,其中VDD=5V,Rsi=2千欧,Rg1=60千欧,Rg2=40千欧,Rd=RL=5.1 千欧,MOS管参数为Kn=0.8mA/V2,VTN=1V,λ=0,Cgn=1pF,Cgd=0.4pF。试求该电路的中频源电压增益ArSM和源电压增益的上限频率fH。