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题目内容（请给出正确答案）

[判断题]

硅二极管正向导通电压约为0.2~0.3V，锗二极管正向导通电压约为0.6~0.8V。（)

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第1题

在常温下，锗二极管的死区电压约为0.5V，正向导通电压约为0.7V。（）

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第2题

二极管正向导通时的正向电压值称为管压降．一般小功率硅管的管压降可为（）V。

A.0．6

B.0．7

C.0．8

D.1．0

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第3题

一般情况下，导通后二极管两端电压变化很小锗管约为（)。

A.0.5V

B.0.7V

C.0.3V

D.0.1V

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第4题

晶体三极管处在正常放大状态时，硅管发射结的导通电压约0.7V，锗管发射结的导通电压约0.3V。（)

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第5题

用数字万用表测量，如果二极管正向导通，测量二极管时，若显示为“1”，表示二极管正向不通，（）说明二极管被击穿短路。

A.0

B.00

C.000

D.0000

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第6题

如呆一个二极管正极的电位是5V，负极的电位是3 5V，那么该二极管（）。

A.截止

B.击穿

C.正向导通

D.饱和

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第7题

硅二极管两端只要加上正向电压就立即导通。（）

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第8题

硅晶体二极管的死区电压约为0.5V，导通压降约为0.7V。（）

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第9题

硅NPN型的三极管如果它工作于饱和状态，那么，它一定具有以下特征:（)。

A.Ue在0.3V左右

B.Uge约为0.7伏

C.Uc＞0

D.Uc＜0

E.Uca＜0

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第10题

已知U_OM=±12V，U_Z=6V，正向导通电压0.7V，u_i=12sinωt，U_R=3V，画出电压传输特性曲

线和u_O波形。

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第11题

锗晶体二极管至少要高于约（)的电压才能正常工作。

A.0.1V

B.0.3V

C.0.7V

D.0.5V

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