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[主观题]

在半导体pn结的空间电荷区分布有正、负离子,n区内是正离子,p区内是负离子,两区内的电荷量相等,

如习题7-23图所示。取x轴的原点在pn结的交界面上,p区的范围和n区的范围在半导体pn结的空间电荷区分布有正、负离子,n区内是正离子,p区内是负离子,两区内的电荷量相等,如习,其电荷的体分布为ρ(x)=-eax,式中a为常量。试证明该电荷区的电场分布为在半导体pn结的空间电荷区分布有正、负离子,n区内是正离子,p区内是负离子,两区内的电荷量相等,如习,并画出ρ(x)和E(x)随x变化的曲线。(提示;把pn结看成是一对带正、负电荷的无限大平板。)

在半导体pn结的空间电荷区分布有正、负离子,n区内是正离子,p区内是负离子,两区内的电荷量相等,如习

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第1题
PN结的空间电荷区的电荷有()。

A.施主离子

B.受主离子

C.电子

D.空穴

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第2题
当PN结正向偏置时,空间电荷区(),呈现的电阻性能()

A.变宽变大

B.变窄变小

C.变宽变小

D.变窄变大

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第3题
在一定温度下,以下措施不能使PN结的接触电势差变大的是()。

A.减小低掺杂区的掺杂浓度

B.提高P区和N区的掺杂浓度

C.选用禁带宽度高的半导体材料

D.选用本征载流子浓度小的半导体材料

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第4题
一个三极管和一个二极管用连线将它们连接,使之成为有三个PN结的半导体,代替一个晶闸管使用。()
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第5题
下列关于PN结隧道击穿的说法中,错误的是()。

A.势垒区宽度较大的PN结容易发生隧道击穿

B.隧道击穿也称齐纳击穿

C.隧道击穿发生在重掺杂PN结中

D.隧道击穿的击穿电压温度系数为负

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第6题
理想MOS结构半导体表面空间电荷区的平带电容可用极板间距为德拜长度LD的平板电容公式表示。()
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第7题
可控硅管是具有三个PN结的四层半导体。()
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第8题
以下关于MOS空间电荷区宽度的说法中,正确的是()。

A.半导体表面反型时,空间电荷区宽度达到最大值

B.空间电荷区宽度最大时,强反型区的电子或空穴会屏蔽表面电场

C.空间电荷区宽度达到最大值后,表面势的变化不会引起空间电荷区宽度的变化

D.对于n型,外加电压VG>0并逐渐增大时,空间电荷区宽度逐渐增大直至达到最大值

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第9题
PN结型功率二极管的基本结构是半导体PN结,具有单向导电性。()
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第10题
AO13N型半导体和P型半导体中的多数载流子性质不同,N型半导体带负电,而P型半导体带正电,所以PN结形成内电场。()
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