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[判断题]

在电学性质上,MOS管的源和漏是可以相互交换的,双极型晶体管的发射极和集电极是可以相互交换的。()

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第1题
增强型场MOS管的开启电压是指当漏源电压一定时,使漏极电流不为零所对应的______。耗尽型MOS管的______的定义为漏源电压一定时,使漏极电流近似为零所对应栅源电压。

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第2题
如果MOS管进入饱和工作区后,继续增加VDS,则沟道夹断点向___移动,在___将出现耗尽区。

A.漏端,漏端

B.漏端,源端

C.源端,漏端

D.源端,源端

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第3题
判断一个MOS管是否导通的关键是()与阈值电压作比较。

A.衬底与源间电压

B.漏源电压

C.栅漏电压

D.栅源电压

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第4题
设一n沟增强型管VTH=2V,VGS=6V,源端接地,以下说法正确的是()。

A.VDS=0V时,沟道中各点电位相同,沟道厚度各处相同,IDS=0

B.VDS=2V时,漏端沟道厚度比源端厚,但相差不大可近似看成均匀

C.VDS从2V变为4V时,源端沟道越来越薄,IDS随VDS上升减慢

D.VDS=4V时,沟道进入夹断的临界状态,MOS管由导通变为截止

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第5题
下列哪项在计算MOS管最高振荡频率时,可以不考虑()。

A.小尺寸器件沟道长度与栅极长度并不完全相等

B.晶格散射导致的载流子迁移率退化

C.小尺寸器件中的纵向电场

D.栅漏电容的米勒效应

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第6题
扩散是半导体掺杂的重要方法之一,广泛应用于集成电路中,形成晶体管的基极、发射极、集电极,电阻,MOS工艺中形成源极、漏极、互连引线等。()

此题为判断题(对,错)。

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第7题
已知某耗尽型MOS管的夹断电压UP=-2.5V,饱和漏极电流IDSS=0.5mA,求UGS=-1V时的漏极电流ID和跨导gm。

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第8题
电路如图题6.4.5所示,其中VDD=5V,Rsi=2千欧,Rg1=60千欧,Rg2=40千欧,Rd=R≇

电路如图题6.4.5所示,其中VDD=5V,Rsi=2千欧,Rg1=60千欧,Rg2=40千欧,Rd=RL=5.1 千欧,MOS管参数为Kn=0.8mA/V2,VTN=1V,λ=0,Cgn=1pF,Cgd=0.4pF。试求该电路的中频源电压增益ArSM和源电压增益的上限频率fH

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第9题
在下列观点中,()的说法是正确的。

A.在资产评估中,不同的评估方法之间可以相互替代

B.在相同的评估条件下,对同一资产采用不同的评估方法,其结果应趋于一致

C.由于市场价值与非市场价值的价值类型不同,因此对同一资产在两种价值类型情况下不能用同一种评估方法

D.无论采用哪种方法,都应保证评估目的、所依据的各种假设和条件与评估所使用的各种参数,及其评估结果在性质上和逻辑上的一致

E.由于不同的评估方法其评估思路不同,因此对同一资产采用不同的评估方法评估,其结果没有可比性

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第10题
在MOS逻辑电路中,由PMOS管组成的与非门电路叫做()。
在MOS逻辑电路中,由PMOS管组成的与非门电路叫做()。

A、互补MOS与非门电路

B、CMOS与非门电路

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