A.VDS=0V时,沟道中各点电位相同,沟道厚度各处相同,IDS=0
B.VDS=2V时,漏端沟道厚度比源端厚,但相差不大可近似看成均匀
C.VDS从2V变为4V时,源端沟道越来越薄,IDS随VDS上升减慢
D.VDS=4V时,沟道进入夹断的临界状态,MOS管由导通变为截止
A.小尺寸器件沟道长度与栅极长度并不完全相等
B.晶格散射导致的载流子迁移率退化
C.小尺寸器件中的纵向电场
D.栅漏电容的米勒效应
电路如图题6.4.5所示,其中VDD=5V,Rsi=2千欧,Rg1=60千欧,Rg2=40千欧,Rd=RL=5.1 千欧,MOS管参数为Kn=0.8mA/V2,VTN=1V,λ=0,Cgn=1pF,Cgd=0.4pF。试求该电路的中频源电压增益ArSM和源电压增益的上限频率fH。
A.在资产评估中,不同的评估方法之间可以相互替代
B.在相同的评估条件下,对同一资产采用不同的评估方法,其结果应趋于一致
C.由于市场价值与非市场价值的价值类型不同,因此对同一资产在两种价值类型情况下不能用同一种评估方法
D.无论采用哪种方法,都应保证评估目的、所依据的各种假设和条件与评估所使用的各种参数,及其评估结果在性质上和逻辑上的一致
E.由于不同的评估方法其评估思路不同,因此对同一资产采用不同的评估方法评估,其结果没有可比性