A.扩散性
B.即时性
C.互动性
D.精准性
A.在异质结的两种半导体材料界面处存在晶格失配
B.由于两种材料热膨胀系数不同,在高温下引入界面态
C.化合物半导体构成的异质结中,由于成分元素的互扩散,引入界面态
D.材料表面的化学吸附
E.材料表面的原子重构
B、奥氏体的形成过程也符合相变的普遍规律,也是通过形核和核心长大来实现的
C、当把珠光体加热到A1温度以上时,奥氏体晶核首先在晶界上形成。根据相变的一般规律,临界晶核的生成是需要一定的能量起伏和浓度起伏。晶界,亚晶界,各种晶体缺陷,非金属杂质等都是提高局部区域自由能的因素,都会造成更大的能量起伏和浓度起伏,有利于奥氏体晶核的形成。珠光体中铁素体和渗碳体的界面是奥氏体最有利的形核地点
D、A+B+C