题目内容
(请给出正确答案)
[单选题]
如果MOS管进入饱和工作区后,继续增加VDS,则沟道夹断点向___移动,在___将出现耗尽区。
A.漏端,漏端
B.漏端,源端
C.源端,漏端
D.源端,源端
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A.漏端,漏端
B.漏端,源端
C.源端,漏端
D.源端,源端
A.MOS管最高振荡频率工作时一定工作在饱和区
B.MOS管最高振荡频率工作时电流均流向输出回路
C.过驱动电压越高,MOS管最高振荡频率越高
D.栅电容越大,MOS管最高振荡频率越高
电路如图题2.1.1所示,运放的设输出电压的最大饱和电压值±Vom=±11V.(1)如果vP=25μV,vN=100μV,试求输出电压v0=?实际上v0应为多少?(2)设Vom=±11V,画出它的传输特性。
A.方案I
B.方案II
C.方案III
D.方案IV。
A.VDS=0V时,沟道中各点电位相同,沟道厚度各处相同,IDS=0
B.VDS=2V时,漏端沟道厚度比源端厚,但相差不大可近似看成均匀
C.VDS从2V变为4V时,源端沟道越来越薄,IDS随VDS上升减慢
D.VDS=4V时,沟道进入夹断的临界状态,MOS管由导通变为截止