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[主观题]
增强型场MOS管的开启电压是指当漏源电压一定时，使漏极电流不为零所对应的______。耗尽型MOS管的______的定义为漏源电压一定时，使漏极电流近似为零所对应栅源电压。
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A.VDS=0V时，沟道中各点电位相同，沟道厚度各处相同，IDS=0
B.VDS=2V时，漏端沟道厚度比源端厚，但相差不大可近似看成均匀
C.VDS从2V变为4V时，源端沟道越来越薄，IDS随VDS上升减慢
D.VDS=4V时，沟道进入夹断的临界状态，MOS管由导通变为截止
A.可调电阻区的电压范围为
B.近漏处比近源处的沟道厚度要小
C.此时沟道区呈现电阻特性，电流与基本上是线性关系
D.越大，漏端沟道越来越薄，沟道电阻越大
电路如图题6.4.5所示，其中VDD=5V，Rsi=2千欧，Rg1=60千欧，Rg2=40千欧，Rd=RL=5.1 千欧，MOS管参数为Kn=0.8mA/V2，VTN=1V，λ=0，Cgn=1pF，Cgd=0.4pF。试求该电路的中频源电压增益ArSM和源电压增益的上限频率fH。
在图LT3-4所示电路中,已知VGS(th)=-1.5V,增强型MOS管的
沟道长度调制效应忽略不计,试求
值.
