在一块N型Si衬底上,通过离子注入方式形成一个PN结二极管,其纵向剖面如下图所示。
(1)分别画出采用负胶和正胶工艺形成这个PN结二极管时所采用的掩模板的形貌,即P区、N区和P区的形成。
(2)如果制作小尺寸的PN结二极管,采用负胶还是正胶,为什么?
电路如图题2.1.1所示,运放的设输出电压的最大饱和电压值±Vom=±11V.(1)如果vP=25μV,vN=100μV,试求输出电压v0=?实际上v0应为多少?(2)设Vom=±11V,画出它的传输特性。
(1)求解uo3的占空比与u1的关系式;
(2)设u1=2.5V,画出uo1、uo2和uo3的波形.
A.(90+87+84+78)/4
B.C2+D2+E2+F2
C.2C+2D+2E+2F
D.90+87+85+78
A.1∶1000
B.1∶1500
C.1∶500
D.1:100
A.某省1:10000比例尺地形图更新项目
B. 某省地理国情普查项目
C. 长江干流某大型水利枢纽工程控制测量项目
D. 规模较大的房产面积测量项目
在图2-16所示的正切机构中,已知1=30°,构件1的等角速度1=6rad/s,h=400mm,试用解析法求构件3的速度和加速度.