电路如下图(a)所示。已知Rd=10kΩ,Rs=R=0.5kΩ,Rg1=165kΩ,Rg2=35kΩ,VT=0.8V,KN=1mA/V2。场效应管的输出电阻rds=∞(λ=0),电路静态工作点处VGS=1.5V。试求共源极电路的小信号电压增益和源电压增益(先根据KN、VGS和VT求出gm,再求Av)。
在图NP4-19所示场效应管混频器原理电路中,已知场效应管的静态转移特性为,在满足线性时变条件下,试画出下列两种情况下gm(t)的波形图,并导出混频跨导gmc表达式。。
在下图所示放大电路中,已知UDD=20V,RD=10kΩ,RG1=200kΩ,RG2=51kΩ,RG=1MΩ,RS=10kΩ,在输出端接一负载电阻RL=10kΩ场效应晶体管为N沟道耗尽型,其参数,IDSS=0.9m,UGS(off)2=-4V,gm=1.5mA/V,试求静态作点及电压放大倍数
电路如图P3.1(c)、(e)所示,晶体管的β均为200,rbe均为3kΩ.场效应管的gm为15mS;Q点合适.求解Au、Ri和R0.
P3.1
高通电路如下图所示,已知Q=1,试求其幅频响应的峰值,以及峰值所对应的角频率。设ωc=2π×200(rad/s)。
欧。场效应管的gm=11.3mS,rds=50千欧。试求源极跟随器的源电压增益Ars=v0/vs、输入电阻R1和输出电阻R0。
如下图所示的稳压电路中,已知输入电压UI的变化范围为15~25V,负载电流IL的变化范围为0~15mA,稳压管的参数为IZmax=50mA,IZmin=5mA,稳压值UZ=6V,求限流电阻R的取值范围。
求
A.拉,3.2mA,灌,160μA
B.灌,6.4mA,拉,160μA
C.灌,3.2mA,拉,160μA
D.灌,3.2mA,拉,80μA