题目内容
(请给出正确答案)
[单选题]
下面哪种方式是无法减少MOS器件的亚阈值摆幅()。
A.减少衬底掺杂浓度
B.减少SiO2/Si界面处的固定电荷密度
C.减少氧化层厚度
D.降低器件工作温度
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A.减少衬底掺杂浓度
B.减少SiO2/Si界面处的固定电荷密度
C.减少氧化层厚度
D.降低器件工作温度
A.低阈值,低阈值
B.高阈值,低阈值
C.低阈值,高阈值
D.高阈值,高阈值
A.小尺寸器件沟道长度与栅极长度并不完全相等
B.晶格散射导致的载流子迁移率退化
C.小尺寸器件中的纵向电场
D.栅漏电容的米勒效应
A.脾脏体积缩小,包膜皱缩
B.白髓区淋巴细胞数量减少
C.红髓区可见出血、梗死,巨噬细胞增生
D.脾脏和淋巴结内CD4+T细胞增加,CD8+T细胞减少
A.在一个原子中,不可能存在四个量子数完全相同的两个电子
B.轨道最多只能容纳两个电子,而且这两个电子的自旋方式必须相反
C.电子层的最大容量:2n^2(n的平方的2倍)
D.亚层的最大容量:4+1