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题目内容 (请给出正确答案)
[单选题]

p沟耗尽型MOS管的阈值电压为(),达到阈值电压后,表面为()状态。

A.正值,强反型

B.正值,导电沟道消失

C.负值,强反型

D.负值,导电沟道消失

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第1题
增强型场MOS管的开启电压是指当漏源电压一定时,使漏极电流不为零所对应的______。耗尽型MOS管的______的定义为漏源电压一定时,使漏极电流近似为零所对应栅源电压。

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第2题
p沟增强型MOS管的开启电压为___,沟道中导电载流子为___。

A.正值,电子

B.正值,空穴

C.负值,电子

D.负值,空穴

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第3题
制作p沟增强型MOS管时必须严格控制好氧化层中的正电荷密度,以防在栅压为零时就出现导电沟道。()
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第4题
已知某耗尽型MOS管的夹断电压UP=-2.5V,饱和漏极电流IDSS=0.5mA,求UGS=-1V时的漏极电流ID和跨导gm。

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第5题
判断一个MOS管是否导通的关键是()与阈值电压作比较。

A.衬底与源间电压

B.漏源电压

C.栅漏电压

D.栅源电压

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第6题
如果MOS管进入饱和工作区后,继续增加VDS,则沟道夹断点向___移动,在___将出现耗尽区。

A.漏端,漏端

B.漏端,源端

C.源端,漏端

D.源端,源端

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第7题
MOS管的栅极可与双极型栅极的()相对应。

A.基极

B.集电极

C.发射极

D.发射极或集电极

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第8题
设一n沟增强型管VTH=2V,VGS=6V,源端接地,以下说法正确的是()。

A.VDS=0V时,沟道中各点电位相同,沟道厚度各处相同,IDS=0

B.VDS=2V时,漏端沟道厚度比源端厚,但相差不大可近似看成均匀

C.VDS从2V变为4V时,源端沟道越来越薄,IDS随VDS上升减慢

D.VDS=4V时,沟道进入夹断的临界状态,MOS管由导通变为截止

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第9题
六管MOS型存储单元采用的是()存储信息。

A.电容

B.单稳态触发器

C.双稳态触发器

D.三极管

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第10题
MOS管的栅极与双极型三极管的()相对应。

A.基极

B.集电极

C.发射极

D.发射极或集电极

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