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[主观题]
试求图NP4-18所示电路的混频损耗Lc，假设各二极管均工作在受vL控制的开关状态，且RD⌘
试求图NP4-18所示电路的混频损耗Lc，假设各二极管均工作在受vL控制的开关状态，且RD<< RL。
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试求图NP4-18所示电路的混频损耗Lc，假设各二极管均工作在受vL控制的开关状态，且RD<< RL。
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更多“试求图NP4-18所示电路的混频损耗Lc，假设各二极管均工作…”相关的问题
在图NP4-19所示场效应管混频器原理电路中，已知场效应管的静态转移特性为
,在满足线性时变条件下，试画出下列两种情况下gm(t)的波形图，并导出混频跨导gmc表达式。
。
度升高40℃时的ICQ与VCEQ值。
Cs很大，对信号可视为短路。场效应管的VTS=0.8V，KN=1mA/V，输出电阻rds=∞。试求电路的小信号电压增益AF。
两种改进型电容三点式振荡电路如图题9.7.3a,b所示，试回答下列问题：
(1)画出图a的交流通路，若Cb很大，C1＞＞C3，C2＞＞C3，求振荡频率的近似表达式;
(2)画出图b的交流通路，若Cb很大，C1＞＞C3，C2＞＞C3，求振荡频率的近似表达式;
(3)定性说明电容对两种电路振荡频率的影响。
.试求该电路源电压增益的下限频率fL。
