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[单选题]
晶体管基区中少子积累的变化在发射结电容充放电完成__发生，基极电流的相位__于发射极电流的变化。
A.之前，超前
B.之前，滞后
C.之后，超前
D.之后，滞后
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B.在二极管中，P型半导体一侧接出引线后，是二极管的正极
C.在纯净的硅衬底上，掺杂五价元素，可形成P型半导体
D.在NPN型的晶体管中，基区正是由P型半导体构成
A.交流电流
B.直流电流
C.功率
D.电功
